MOS驱动电路 |
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MOS管的驱动电路有两个要点: 1、瞬态驱动电流要够大,所谓驱动MOS管,主要就是对MOS管栅极的寄生电容的充电放电,也就是打开和关闭MOS管 2、NMOS的Vgs(门-源电压)高于4V即可导通,PMOS的Vgs(门-源电压)低于-4V即可导通 直接驱动NMOS R1为负载 仅适用于NMOS低端驱动,因为NMOS导通的条件是:Vgs高于4V左右,5V的PWM波刚好满足要求(3.3V的低压单片机这里就有无法完全打开NMOS的风险,表现为MOS发热,或者负载两端电压过低) 推挽输出(图腾柱式驱动) R1为负载 这个电路是共射极放大电路,主要是起到放大MOS管栅极的驱动电流,不能放大电压, 适用于NMOS低端驱动,单片机直接驱动MOS管的栅极时,电流不够,开关速度过慢,MOS管发热时,可以增加驱动电流,实现更快速的MOS管的开关 一种变换电压的推挽式驱动电路 R8为负载 如果采用PMOS作为高端驱动的话,那么关断PMOS就要使栅极电压至少等于源极电压 采用两个NPN三极管+ 一个二极管,实现给PMOS栅极0V~12V的快速变换 当然也可以用于NMOS的低端驱动 此电路同时适用于3.3V输出的单片机 这里PMOS的寄生二极管没有画错方向,评论区的朋友说画错了,我确认了几遍,确实没错。 这里要说明一下, NMOS管是漏极(D)流入电流,源极(S)流出电流,栅极(G)控制开关 PMOS管是源极(S)流入电流,漏极(D)流出电流,栅极(G)控制开关 如果NMOS或者PMOS的D-S的方向接反了,那么栅极就失去了控制的功能,管子会一直导通(由于内部寄生二极管存在造成的导通) 采用半桥芯片实现半桥驱动电路 EG3013等半桥芯片的好处是: 1、可以使用两个NMOS实现半桥电路,便宜 2、自举升压电路,方便 3、自带死区控制(避免两个MOS同时导通),安全 缺点嘛。。。有点慢,高频闪烁来控制亮度的话,不太行,如果是控制电机正反转,低频启停用电器话,肯定是没问题的 而且,不一定是用来做半桥,单拿出一路也能直接驱动NMOS,做高低端驱动都可以 |
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