驱动电路是指主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路（即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管）。

　　优良的驱动电路对变换器性能的影响：

　　1.提高系统可靠性；

　　2.提高变换效率（开关器件开关、导通损耗）;

　　3.在开/关过程中减小开关器件应力；

　　4.降低EMI或EMC。

　　驱动电路的基本任务，就是将信息电子电路传来的信号按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号，对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号，以保证器件按要求可靠导通或关断。

　　驱动电路的实质是给栅极电容充放电。

　　开通的条件有：

　　1.驱动电压足够高，一般大于10伏。

　　2.足够的瞬态驱动电流，快的上升沿，可加速开通。

　　3.驱动电路内阻抗小。

　　而关断的条件有：

　　1.足够的瞬态驱动电流，快的下降沿。

　　2. 驱动电路内阻抗大。

　　3.驱动加负压。

　　简单的说：驱动电路是将控制电路输出的PWM脉冲放大到足以驱动功率晶体管 开关功率放大作用。

　　驱动电路，其实质是一个功率放大电路，从而满足负载额定功率使得负载可以正常工作，从而可以响应微弱的输入信号，所以对于不同的负载就需要不同的驱动电路，但实质是一样的，比如LED驱动电路，电机驱动电路，继电器驱动电路，扬声器驱动电路等。

　　接下来列举4款驱动电路图，并进行了电路分析。驱动电路一，图A所示的驱动电路适合于驱动低频小功率IGBT，当控制信号VI为高电平时，V1导通，输出VO对应控制的开关管 导通；当控制信号VI为低电平时，V2导通，输出VO对应控制的开关管被关断。图B所示的驱动电路是采用场效应管 组成推挽电路，其工作原理同图A，这种电路高频峰值驱动电流可达十安以上，适用于大功率开关器件。

　　驱动电路二。如图所示的驱动保护二合一电路适用于驱动低频小功率IGBT，如果将双极型NPN与PNP三极管换成N沟道与P沟道大功率场管后就可构成高频大电流驱动器。在驱动保护二合一电路中，不采用光耦合器作信号隔离而用磁环变压器耦合方波信号，因光耦合器的速度不够快，并存在光耦合器的上升下降波沿延时，采用变压器传输可获得陡直上升下降波沿，几乎没有传输延时。适用于驱动高频大功率的IGBT器件。本电路具有驱动速度快，过流保护动作快，是比较理想的驱动保护二合一实用IGBT驱动电路。

　　驱动电路三。图所示驱动电路为采用光耦合器等分立元器件构成的IGBT驱动电路。当输入控制信号时，光耦合器导通，晶体管VT2截止，VT3导通输出正15伏驱动电压。当输入控制信号为零时，VLC截止，VT2、VT1导通，输出负10伏电压。正15伏和负10伏电源需靠近驱动电路，驱动电路输出端 及电源地端至IGBT栅极和发射极的引线应采用双绞线，长度最好不超过0.5米。

　　驱动电路四。由集成电路TLP二五零构成的驱动电路如上图所示。TLP二五零内置光耦合器的隔离电压可达2500伏，上升和下降时间均小于0.5微秒，输出电流达0.5安，可直接驱动50安、1200伏以内的IGBT。外加推挽放大晶体管后，可驱动电流容量更大的IGBT。TLP二五零构成的驱动器体积小，价格便宜，是不带过电流保护的IGBT驱动器中较理想的产品。由于TLP二五零不具备 过电流保护功能，当IGBT过电流时，通过控制信号关断IGBT，IGBT中电流的下降很陡，且有一个反向的冲击。这将会产生很大的开关损耗，而且对控制电路的过流保护功能要求很高。