（1）主存储器 　　　　一般我们说 STM32 内部 FLASH 的时候，都是指这个主存储器区域，它是存储用户应用程序的空间，芯片型号说明中的 1M FLASH、 2M FLASH 都是指这个区域的大小。 　　　　主存储器分为两块，共 2MB，每块内分 12 个扇区，其中包含 4 个 16KB扇区、 1 个 64KB 扇区和 7 个 128KB 的扇区。如STM32F429IGT6 型号芯片，它的主存储区域大小为 1MB，所以它只包含有表中的扇区 0-扇区 11。 　　　　与其它 FLASH 一样，在写入数据前，要先按扇区擦除，而有的时候我们希望能以小规格操纵存储单元，所以 STM32 针对 1MB FLASH 的产品还提供了一种双块的存储格式，见下表：

通过配置 FLASH 选项控制寄存器 FLASH_OPTCR 的 DB1M 位，可以切换这两种格式，切换成双块模式后，扇区 8-11 的空间被转移到扇区 12-19 中，扇区细分了，总容量不变。 　　　　 　　　　注意如果您使用的是 STM32F40x 系列的芯片， 它没有双块存储格式，也不存在扇区 12-23，仅 STM32F42x/43x 系列产品才支持扇区 12-23。 　　　　 　　（2）系统存储区 　　　　系统存储区是用户不能访问的区域，它在芯片出厂时已经固化了启动代码，它负责实现串口、 USB 以及 CAN 等 ISP 烧录功能。 　　　　 　　（3）OTP 区域 　　　　OTP(One Time Program)，指的是只能写入一次的存储区域，容量为 512 字节，写入后数据就无法再更改， OTP 常用于存储应用程序的加密密钥。 　　　　 　　（4）选项字节 　　　　选项字节用于配置 FLASH 的读写保护、电源管理中的 BOR 级别、软件/硬件看门狗等功能，这部分共 32 字节。可以通过修改 FLASH 的选项控制寄存器修改。

三、注意事项 32位的M3有4GB的寻址空间，STM32的存储器地址映射，地址范围为：0x0000_0000-0xFFFF_FFFF;其中代码区的地址是从0x0800_0000开始的，结束于0x0800_0000+芯片的Flash的大小；

所以就必须在MDK里设置Flash地址为0x0800 0000， 这样就还有一个问题，理论上，CM3中规定上电后CPU是从0地址开始执行，但是这里中断向量表却被烧写在0x0800 0000地址里，那启动时不就找不到中断向量表了？既然CM3定下的规矩是从0地址启动，SMT32当然不能破坏ARM定下的“规矩”，所以它做了一个启动映射的过程，就是和芯片上总能见到的BOOT0和BOOT1有关了，当选择从主Flash启动模式后，芯片一上电，Flash的0x0800 0000地址被映射到0地址处，不影响CM3内核的读取，所以这时的CM3既可以在0地址处访问中断向量表，也可以在0x0800 0000地址处访问中断向量表，而代码还是在0x0800 0000地址处存储的。这就是最难理解的地方，其实，这是基本上所有ARM芯片采用的启动映射方法。ARM7，ARM9没有内部Flash的通常都是这样做的。这个过程出自STM32 referenc manual手册，里面是有说明的。 值得注意的是 ，这个中断向量表是可以在程序中再次被映射的。控制它的就是CM3已经规定的NVIC寄存器SCB->VTOR。在STM32库中给出的启动代码里，startup_stm32f10x_hd.s文件里，第146行，是上电后读取中断向量表中的复位中断位置，并执行复位中断处理代码，代码如下：

注意复位后第一个被执行的是SystemInit代码，这个代码在库目录下的system_stm32f10x.c文件里，它初始化了时钟，NVIC等一系列操作，这里摘要与中断向量有关的代码：

可以看出中断向量重映射是一个选择性编译，通常宏定义VECT_TAB_SRAM都没有被定义，所以这里执行结束后，SCB->VTOR就是FLASH_BASE了，值为0x0800 0000。以后CM3再取中断向量里，就会根据SCB->VTOR的设置，从这里取向量执行了。中断向量自此终于转正。