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作者：

MA Jianlin，马建林，WANG Li，王莉，RUAN Ligang，阮立刚

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摘要：

对多芯片功率模块(MCPMs-Multi-Chip Power Modules,MCPMs)从功率模块布局设计角度对SiC(Silicon Carbide)MOSFET的并联均流进行了研究,理论分析了造成SiC MOSFET并联不均流的原因,在忽略器件自身差异的情况下,重点分析了非对称布局对功率管并联均流的影响.在此基础之上,以540V,200A大功率固态功率控制器(Solid State Power Controller,SSPC)为背景,提出了三种适用于大功率SSPC集成功率模块的非对称布局,分别对三种布局的不均流电流进行了理论分析,并利用Ansoft Q3D提取寄生参数在Saber中对模块的动态开关过程进行仿真,仿真结果表明,通过合理的布局可以减小非对称布局引起的寄生电感不对称对SiC MOSFET并联不均流造成的影响.

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关键词：

多芯片功率模块 均流策略 非对称布局 金属氧化物场效应晶体管

会议名称：

第十一届中国高校电力电子与电力传动学术年会

会议地点：

长沙

主办单位：

中国高校电力电子与电力传动学术年会组委会湖南大学