接口失效不仅有机械应力、电化学反应导致的失效，最重要的还是电气失效——静电ESD和浪涌SURGE。两者的范围如下图所示1。

静电属于短时高压，浪涌属于长时低压，后者能量更大持续时间更久。

对照上图，总结如下表所示。

当超过ESD单元钳位电压的过电压出现在器件端子上时，器件会不会损坏就取决于ESD元件被击穿期间通过它的能量的多少。

ESD（Electro Static Discharge, 静电释放）和EOS（Electrical Over Stress, 电气过应力）都是与电压过应力有关的概念，但它们之间的差异也很明确：

对于器件来说，其电应力工作区间如下图所示，超过最大工作电压后会出现EOS损坏。

EOS损坏的器件失效图片如下所示，常伴有大面积烧毁、金线断裂，发热发烫或者不工作。

浪涌和静电损坏的特点如下表所示。

TVS的电气特性由器件结构、掺杂浓度、衬底电阻率所决定，浪涌功率和浪涌电流容量与结面积成正比。

Ipp是高于Vcl时的最大脉冲峰值电流，高于此值时TVS会损坏。

国内目前标准里还没有具体的过压测试的指标，但是涉及出口的产品，都会提出相关的需求，从2015年的过压浪涌300V，到目前已经有客户需要测试500V。都显示了客户对过压可靠性的高要求。以下是网友摸到的大厂的测试标准5，可见大部分厂家的要求都是300V以上。

对于USB口上其他信号线要求如下：

常用电路结构如下图所示。

TVS1为VBUS浪涌管，防止充电时供电不稳产生浪涌，经过TVS管后会存在残压，残压需要实测，但不会超过钳位电压。后级OVP进行过压保护，保护后面的充电芯片。

TVS2为Vbat浪涌管，防止电池拔插时产生浪涌，保护充电芯片电池接口和PMIC的电池供电口。

模拟雷击浪涌脉冲生成电路的工作原理如下图所示。

上图是模拟雷电击到配电设备时，在输电线路中感应产生的浪涌电压，或雷电落地后雷电流通过公共地电阻产生的反击高压，的脉冲产生电路。4kV时的单脉冲能量为100焦耳。

图中Cs是储能电容（大约为10uF，相当于雷云电容）；

Us为高压电源；

Rc为充电电阻；

Rs为脉冲持续时间形成电阻（放电曲线形成电阻）；

Rm为阻抗匹配电阻Ls为电流上升形成电感。

雷击浪涌抗扰度试验对不同产品有不同的参数要求，上图中的参数可根据产品标准要求不同，稍有改动。

基本参数要求：

（1）开路输出电压：0.5～6kV，分5等级输出，最后一级由用户与制造商协商确定；

（2）短路输出电流：0.25～2kA，供不同等级试验用;

（3）内阻：2 欧姆，附加电阻10、12、40、42欧姆，供其它不同等级试验用；

（4）浪涌输出极性：正/负；浪涌输出与电源同步时，移相0～360度；

（5）重复频率：至少每分钟一次。

这个就是模拟雷击的脉冲发生器，其输出波形如下图所示。

1.2/50us的波形：开路电压波前时间1.2us；开路电压半峰值时间50us。

8/20us的波形：短路电流波前时间8us；短路电流半峰值时间20us。

1.2/50μS为开路电压波形，8/20μS为短路电流波形；对于低阻抗试品：组合波发生器模拟输出8/20μS波形，可作为冲击电流发生器使用；对于高阻抗试品，输出1.2/50μS波形，可作为冲击电压发生器。实际使用过程中为组合波形。