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2023-03-27 02:51| 来源: 网络整理| 查看: 265

请问,科龙 KFR-72LW/VGF-N3 空调 平均一小时几度电

看你制热还是冷,还有看你空间大小,室外温度和房间密闭性,还有你开多少度。这些问题才是主要影响。如果你开着,压缩机不停在运转,电加热也不停,那用电就是它的总工率。比如3500w,那就是3.5度电一小时。

VGF是什么意思

VGF 垂直梯度凝固法(Vertical Gradient Freeze);适应性补偿基金(Viability Gap Funding);产生器例句筛选1.In VGF crystal growth procedure, the crystal growth rate depended on the temperature at control point and the cooling rate.VGF技术生长晶体时,晶体的生长速率主要取决于控温点的温度及降温速率。2.Also, VGF and VB-based substrates made up 64 percent of waferoutput in 2007 and this will increase to 75 percent through 2012.而且,2007年基于VGF和VB衬底占到了晶片产量的70%,到2012年这一数字有望提高到75%。

磷化镓的现状与展望

磷化稼单晶是化合物半导体中生产量仅次于砷化稼的单晶材料。全世界单晶年产量1973年约1吨,1980年发展到10吨,进入90年代接近20吨。磷化稼单晶材料和外延材料均已达到工业生产规模。磷化稼衬底单晶的直径一直保持在必2’’,没有扩大的趋势。梯度凝固(VGF)法生长必2’’、 必3’’磷化稼单晶,可大大降低位错密度(至103cm一“量 级),但仍处于实验室研究阶段。大量生产的黄绿色、红色LED芯片几乎全是用LPE制造的。大规模生产用LPE设备容量都在每周期20片以上,最大达每周期80一100片,且大都实现了过程的计算机自动控制生长,其可靠性高,重现性好,使芯片价格不断下降,质量不断提高。由于不同亮度LED均可找到各自 的使用场合,故LPE磷化稼芯片生产几乎没有废品。LPE用磷化稼衬底规格为:必2’’,n(2一8) X 1017 em一3,刀n90一130 emZ·V一‘·s一‘,石于如《4 x 105em一2, N型掺杂剂S、51

III-V族化合物的简介

III-V族化合物的表示式为A(III)B(V),如BN,BP,BAs,BSb,AlN,AlP,AlAs,AlSb,GaN,GaP,GaAs,GaSb,InAs,InN,InP和InSb。其中BN,AlN,GaN和InN是纤维锌矿结构,其余十二种为闪锌矿结构。此类材料具有闪锌矿结构(Zincblende)结构。键结方式以共价键为主。由于五价原子比三价原子具有更高的阴电性,因此有少许离子键成份。正因为如此,III-V族材料置于电场中,晶格容易被极化,离子位移有助于介电系数的增加,若电场频率在红外线范围。GaAs材料的n型半导体中,电子移动率((mn~8500)远大于Si的电子移动率((mn~1450),因此运动速度快,在高速数字集成电路上的应用,比Si半导体优越。但是,由于GaAs材料的集成电路制程极为复杂,成本也较昂贵,且成品的不良率高,单晶缺陷比Si多。因此GaAs要如同Si半导体普及应用,仍有待研发技术的努力。但另一方面,其优点是具备能够发出激光等目前硅所没有的特性。III-V族化合物的一个是c个V族元素的离解压,以磷化物离解压为最高。III-V族半导体化合物制备方法有以下几种:液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC),水平区熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜制备方法有液相外延(LPE),气相外延(VPE),分子束外延(MBE),化学束外延(LBE)和金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)等。III-V族化合物半导体材料在光电子器件,光电集成,超高速微电子器件和超高频微波器件及电路上得到重要应用,有广阔前景。

vgf 什么意思

垂直梯度凝固法(VGF)短语VGF VoiceGradeFacility 语音频段通信设备VGF method VGF法VGF法 VGF methodVGF VoiceGradeDataFacility 语音频段数据通信设备VGF VoiceGradeFacility 语音频段通信设备SONY VGF-CP1C 索尼VGFCP1CSONY VGF-AP1 索尼VGF VoiceGrade Facility 语音频段通信设备Neurosecretory protein VGF 靶标

吞咽障碍康复的康复评定

1、摄食前的一般评价(1)基础疾病:把握不同基础疾病如脑损伤、肿瘤、重症肌无力等的发生发展,有利于采取不同的康复手段。(2)全身状态:注意有无发热、脱水、低营养,呼吸状态、体力、疾病稳定性等方面的问题,确认患者是否属于适合摄食的状态。(3)意识水平:用Glasgow Coma Scale 等来评价意识状态,确认患者的意识水平是否可进行清醒进食,是否随着时间发生变化。(4)高级脑功能:观察语言功能、认知、行为、注意力、记忆力、情感或智力水平有无问题。可采用不同量表进行分析。2、摄食-吞咽功能评价(1)口腔功能的观察:仔细观察口部开合、口唇闭锁、舌部运动、有无流涎、软腭上抬、吞咽反射、呕吐反射、牙齿状态、口腔卫生、构音、发声(开鼻声:软腭麻痹;湿性嘶哑:声带上部有唾液等残留)、口腔内知觉、味觉等。(2)吞咽功能的观察:不需要设备,在床边便可进行的测试有以下两种:A.“反复唾液吞咽测试”:被检查者采取坐位,卧床时采取放松体位。检查者将手指放在被检查者的喉结及舌骨处,让其尽量快速反复吞咽,观察30 s内喉结及舌骨随着吞咽运动越过手指,向前上方移动再复位的次数。高龄患者做3次即可。B.“饮水试验”:让患者喝下两三口一茶匙水,如无问题,瞩患者取坐位,将30 ml温水一口咽下,记录饮水情况,I.可一口喝完,无噎呛;II.分两次以上喝完,无噎呛;III.能一次喝完,但有噎呛;IV.分两次以上喝完,且有噎呛;V.常常呛住,难以全部喝完。情况I,若5秒内喝完,为正常;超过5秒,则可疑有吞咽障碍;情况II也为可疑;情况III、IV、V则确定有吞咽障碍。3、摄食过程评价 评价内容包括:(1)口腔前期:意识状态、有无高级脑功能障碍影响、食速、食欲。(2)口腔准备期:开口、闭唇、摄食、食物从口中洒落、舌部运动(前后、上下、左右)、下颌(上下、旋转)、咀嚼运动、进食方式变化。(3)口腔期:吞送(量、方式、所需时间)、口腔内残留。(4)咽期:喉部运动、噎食、咽部不适感、咽部残留感、声音变化、痰量有无增加。(5)食管期:胸口憋闷、吞入食物逆流。此外,有必要留意食物内容、吞咽困难的食物性状、所需时间、一次摄食量、体位、帮助方法、残留物去除法的有效性、疲劳、环境、帮助者的问题等。4、辅助性检查 包括电视荧光放射吞咽功能检查、电视内窥镜吞咽功能检查、超声检查、放射性核素扫描检查、测压检查、肌电图检查、脉冲血氧定量法等。5、吞咽功能评测:(1)才藤7级评价法7级:为正常:摄食咽下没有困难,没有康复医学治疗的必要。6级:为轻度问题:摄食咽下有轻度问题,摄食时有必要改变食物的形态,如因 咀嚼不充分需要吃软食,但是口腔残留的很少,不误咽。5级:为口腔问题:主要是吞咽口腔期中度或重度障碍,需要改善咀嚼的形态,吃饭的时间延长,口腔内残留食物增多,吞咽时需要他人的提示或者监视,没有误咽。4级:为机会误咽:用一般的方法摄食吞咽有误咽,但经过调整姿势或一口量的变化和咽下代偿后可以充分地防止误咽。3级:为水的误咽:有水的误咽,使用误咽防止法也不能控制,改变食物形态有一定的效果,吃饭只能咽下食物,但摄取的能量不充分。2级:为食物误咽:改变食物的形态没有效果,水和营养基本上由静脉供给。1级:为唾液误咽:唾液产生误咽,不能进食、饮水。(2)吞咽障碍的程度评分(VGF)A. 口腔期不能把口腔内的食物送入咽喉,从口唇流出,或者仅重力作用送入咽喉——0分不能形成食块流入咽喉,只能把食物形成灵灵群群状流入咽喉——1分不能一次就把食物完全送入咽喉,一次吞咽动作后,有部分食物残留在口腔内——2分一次吞咽就可完成把食物送入咽喉——3分B.咽喉期不能引起咽喉上举,会厌的闭锁及软腭弓闭合,吞咽反射不充分——0分在咽喉凹及梨状窝存有多量的残食——1分少量贮留残食,且反复几次吞咽可把残食全部吞咽入咽喉下——2分一次吞咽就可完成把食物送入食管——3分C.误咽程度 大部分误咽,但无呛咳——0分大部分误咽,但有呛咳——1分 少部分误咽,无呛咳——2分少量误咽,有呛咳——3分无误咽——4分程度判断:重症为0分,正常为10分(3)吞咽障碍的等级A.重度(无法经口腔)1. 无法吞咽,不适合吞咽训练。2.误咽严重,吞咽困难,只适合基础性吞咽训练。3. 误咽减少,可进行摄食训练。B.中度(经口腔和补充营养)4.可以少量、乐趣性地摄食。5.一部分(1-2餐)营养摄取可经口腔进行。6.三餐均可经口腔摄取营养。C.轻度(单一经口腔)7.三餐均可经口腔摄取吞咽食品。8.除特别难吞咽的食物外,三餐均可经口腔摄取。9.可以摄取吞咽普通食物,但需要临床观察和指导。D.正常



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