本发明涉及天线技术领域，尤其涉及一种lap激光镭雕工艺。

背景技术：

随着电子产品的广泛应用，除了功能及性能的要求外，外观要求也越来越高，为了将电子产品厚度或尺寸做到最小，在不影响功能和外观的前提下，引入了lap(laserpctivatingplating)技术。

lap(laserpctivatingplating)技术是一种以激光诱导普通塑料基材后选择性金属镀的技术，能够在任意成型面上制作具有电气功能的电器及互联器件，因此在天线制造中具有显著优势。

请结合图1和图2，现有的lap工艺的步骤依次包括：使塑胶基材1成型、镭雕(在塑胶基材1上形成电路走线槽11)、化镀(在电路走线槽11内形成金属层2)、喷涂底漆、打磨和面涂uv，在上述lap工艺过程中，仅仅通过检测化镀的金属层2厚度是否符合标准来判断产品的工艺质量是否合格，在此过程中，因镭雕参数的不同对于化镀的金属层2的厚度影响甚微，因此对于镭雕参数并未进行把控，但镭雕参数不同会产生电路走线槽11深度的差异，并且一般的塑胶基材1成型后都会存在一定的平整度误差，保持相同的镭雕参数对塑胶基材1进行镭雕时，难免会出现电路走线槽11深度不均匀的现象(如图1所示)，如此，则会导致化镀的金属层2表面与塑胶基材1表面出现不均匀的阶差(如图2所示)，导致无法对后续的喷涂工序和打磨工序进行管控，容易出现喷涂后塑胶基材1表面凹凸不平以及打磨量过大或过小的缺陷，严重影响产品良率以及产品的一致性。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是：提供一种产品良率高的lap激光镭雕工艺。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种lap激光镭雕工艺，包括如下步骤，

s1、在塑胶基材上激光镭雕出电路走线槽，对所述电路走线槽的成型深度进行监测；

s2、在所述塑胶基材上的所述电路走线槽内化镀金属层，对所述金属层的成型厚度进行检测；

s3、将测得的所述电路走线槽的成型深度与测得的所述金属层的成型厚度进行数据对比，根据对比结果，对镭雕参数进行调整，使所述金属层的厚度值与所述电路走线槽的深度值一致。

本发明的有益效果在于：本发明提供的lap激光镭雕工艺具有产品良率高和产品一致性好的特点，分别对塑胶基材上镭雕出的电路走线槽的深度以及电路走线槽内化镀成型的金属层的厚度进行监测，并将监测得到的数据进行对比，根据对比结果对镭雕参数进行调整，以使金属层的厚度值与电路走线槽的深度值一致，从而确保金属层化镀至塑胶基材上后，塑胶基材表面与金属层表面平齐，以便于对后续的喷涂工序和打磨工序进行管控，利于生产良率的提升。

附图说明

图1为现有技术中的塑胶基材上形成电路走线槽后的简化结构示意图；

图2为现有技术中的塑胶基材上化镀后的简化结构示意图；

图3为本发明实施例一的lap激光镭雕工艺的流程图；

图4为本发明实施例一中采用lap激光镭雕工艺在塑胶基材上形成的电路走线槽的简化结构示意图。

图5为本发明实施例一中采用lap激光镭雕工艺在塑胶基材上化镀后的简化结构示意图。

标号说明：

1、塑胶基材；11、电路走线槽；2、金属层。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本发明最关键的构思在于：对塑胶基材上镭雕出的电路走线槽的深度以及电路走线槽内化镀成型的金属层的厚度进行监测并对比，根据对比结果对镭雕参数进行调整，以确保塑胶基材表面与金属层表面平齐。

请参照图3至图4，一种lap激光镭雕工艺，包括如下步骤，

s1、在塑胶基材1上激光镭雕出电路走线槽11，对所述电路走线槽11的成型深度进行监测；

s2、在所述塑胶基材1上的所述电路走线槽11内化镀金属层2，对所述金属层2的成型厚度进行检测；

s3、将测得的所述电路走线槽11的成型深度与测得的所述金属层2的成型厚度进行数据对比，根据对比结果，对镭雕参数进行调整，使所述金属层2的厚度值与所述电路走线槽11的深度值一致。

从上述描述可知，本发明的有益效果在于：分别对塑胶基材1上镭雕出的电路走线槽11的深度以及电路走线槽11内化镀成型的金属层2的厚度进行监测，并将监测得到的数据进行对比，根据对比结果对镭雕参数进行调整，以使金属层2的厚度值与电路走线槽11的深度值一致，从而确保金属层2化镀至塑胶基材1上后，塑胶基材1表面与金属层2表面平齐，以便于对后续的喷涂工序和打磨工序进行管控，利于生产良率的提升。

进一步的，步骤s1中通过激光镭雕机在所述塑胶基材1上形成所述电路走线槽11，通过段差检测仪对所述电路走线槽11的成型深度进行监测。

由上述描述可知，所述激光镭雕机便于对所述塑胶基材1进行镭雕，所述段差检测仪便于对所述电路走线槽11的成型深度进行监测，具体可根据实际的应用需求对检测设备进行选择。

进一步的，所述电路走线槽11的深度值为10-15μm。

由上述描述可知，可根据实际的应用需求对所述电路走线槽11的深度值进行设定。

进一步的，步骤s2中通过段差检测仪对所述金属层2的成型厚度值进行监测。

进一步的，所述金属层2的厚度值为11-16μm。

由上述描述可知，可根据实际的应用需求对所述金属层2的厚度值进行设定。

进一步的，步骤s3之后还包括步骤：

s4、在所述塑胶基材1上喷涂底漆，使所述底漆覆盖所述金属层2；

s5、对喷涂有底漆的所述塑胶基材1表面进行打磨；

s6、对经打磨后的所述塑胶基材1表面喷涂面漆。

由上述描述可知，本lap激光镭雕工艺流程简单，在喷涂底漆后仅需轻量打磨即可，减轻了打磨工序的工作量，利于生产效率的提升。

进一步的，步骤s4依次包括如下步骤：

s41、在所述塑胶基材1上喷涂密封底漆；

s42、在所述塑胶基材1上喷涂打磨底漆。

由上述描述可知，所述密封底漆能够便于对所述塑胶基材1以及所述金属层2进行密封，所述打磨底漆便于对漆面进行打磨。

进一步的，步骤s41之后还包括步骤s411：烘烤所述密封底漆至定型。

由上述描述可知，将所述密封底漆烘烤至定型后，能够提升所述密封底漆的附着力，便于在所述密封底漆上喷涂打磨底漆。

进一步的，步骤s42之后还包括步骤s421：烘烤所述打磨底漆至定型。

进一步的，在步骤s1中，在对所述塑胶基材1进行激光镭雕过程中，实时对所述电路走线槽11的成型深度进行检测，并根据检测结果对镭雕参数进行实时调整。

由上述描述可知，一般的塑胶件成型后都会存在一定的平整度误差，保持相同的镭雕参数对塑胶基材1进行镭雕时，难免会出现电路走线槽11深度不均匀的现象，因此，根据对所述电路走线的实时监测结果对镭雕参数进行实时调整，使得所述电路走线槽11的深度更加均匀，利于生产良率的进一步提升。

实施例一

请参照图3至图5，本发明的实施例一为：一种lap激光镭雕工艺，包括如下步骤，

s1、在塑胶基材1上激光镭雕出电路走线槽11，对所述电路走线槽11的成型深度进行监测；具体的，所述塑胶基材1通过注塑成型获得。

优选的，步骤s1中通过激光镭雕机在所述塑胶基材1上形成所述电路走线槽11，通过段差检测仪对所述电路走线槽11的成型深度进行监测；

可选的，可在所述塑胶基材1上的所述电路走线槽11完全成型后再对所述电路走线槽11的深度进行检测，或者，在对所述塑胶基材1进行激光镭雕过程中，实时对所述电路走线槽11的成型深度进行检测，并根据检测结果对镭雕参数进行实时调整，容易理解的，一般的塑胶件成型后都会存在一定的平整度误差，保持相同的镭雕参数对塑胶基材1进行镭雕时，难免会出现电路走线槽11深度不均匀的现象，因此，根据对所述电路走线的实时监测结果对镭雕参数进行实时调整，当检测到所述电路走线槽11的深度过大或过小时，及时调整镭雕参数，使得所述电路走线槽11的深度更加均匀，利于生产良率的进一步提升。

s2、在所述塑胶基材1上的所述电路走线槽11内化镀金属层2，对所述金属层2的成型厚度进行检测；具体的，通过段差检测仪对所述金属层2的成型厚度值进行监测。

在本实施例中，在进行步骤s1之前，对所述电路走线槽11的深度值进行预设，具体的，所述电路走线槽11的深度值预设为10-15μm；在进行步骤s2之前，对所述金属层2的厚度值进行预设，具体的，所述金属层2的厚度值预设为11-16μm。

s3、将测得的所述电路走线槽11的成型深度与测得的所述金属层2的成型厚度进行数据对比，根据对比结果，对镭雕参数进行调整，使所述金属层2的厚度值与所述电路走线槽11的深度值一致(如图4和图5所示)。

s4、在所述塑胶基材1上喷涂底漆，使所述底漆覆盖所述金属层2；

具体的，所述步骤s4包括如下步骤：

s41、在所述塑胶基材1上喷涂密封底漆；

s411：烘烤所述密封底漆至定型；

s42、在所述塑胶基材1上喷涂打磨底漆；

s421：烘烤所述打磨底漆至定型；

s5、对喷涂有底漆的所述塑胶基材1表面进行打磨；

s6、对经打磨后的所述塑胶基材1表面喷涂面漆。

综上所述，本发明提供的lap激光镭雕工艺具有工序简单、产品良率高和产品一致性好的特点，确保了金属层化镀至塑胶基材上后，塑胶基材表面与金属层表面平齐，以便于对后续的喷涂工序和打磨工序进行管控。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。