三星nand命名规则

1. Memory (K)

2. NAND Flash : 9

3. Small Classification

(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,

SM : SmartMedia, S/B : Small Block)

1 : SLC 1 Chip XD Card

2 : SLC 2 Chip XD Card

4 : SLC 4 Chip XD Card

A : SLC + Muxed I/ F Chip

B : Muxed I/ F Chip

D : SLC Dual SM

E : SLC DUAL (S/ B)

F : SLC Normal

G : MLC Normal

H : MLC QDP

J : Non-Muxed OneNand

K : SLC Die Stack

L : MLC DDP

M : MLC DSP

N : SLC DSP

Q : 4CHIP SM

R : SLC 4DIE STACK (S/ B)

S : SLC Single SM

T : SLC SINGLE (S/ B)

U : 2 STACK MSP

V : 4 STACK MSP

W : SLC 4 Die Stack

4~5. Density

12 : 512M

16 : 16M

28 : 128M

32 : 32M

40 : 4M

56 : 256M

64 : 64M

80 : 8M

1G : 1G

2G : 2G

4G : 4G

8G : 8G

AG : 16G

BG : 32G

CG : 64G

DG : 128G

00 : NONE

6~7. organization

00 : NONE

08 : x8

16 : x16

8. Vcc

A : 1.65V~3.6V

B : 2.7V (2.5V~2.9V)

C : 5.0V (4.5V~5.5V)

D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)

E : 2.3V~3.6V

R : 1.8V (1.65V~1.95V)

Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)

T : 2.4V~3.0V

U : 2.7V~3.6V

V : 3.3V (3.0V~3.6V)

W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V

0 : NONE

9. Mode

0 : Normal

1 : Dual nCE & Dual R/ nB

4 : Quad