作为内存颗粒的三大供应商之一的镁光，在ddr4早期一直默默无闻，各大高端内存极少采用镁光颗粒，DIY玩家对于镁光ddr4颗粒也是避之不及。造成这一现象的根本原因在于镁光ddr4颗粒超频能力差。那么9012年了，ddr5即将问世，镁光在ddr4上是否迎头赶上呢？本文对于其自家DIY品牌英睿达（Crucial）内存在AMD平台进行了简单测试，供大家参考！

由于本文的主角为英睿达ddr4 8g 2666普条，且购于某鱼，所以开箱这一环节就免了，主角简单露个脸吧：

基本信息：内存2019年11周生产，颗粒为D9VPP，2019年第9周生产，台风软件显示为E die，16nm工艺，工艺台风软件显示应该有问题，我在网上查到的信息镁光E die为19nm工艺。由于镁光对于颗粒命名比较特殊，我们很难直观了解，大家可以在这个网页查询颗粒具体属于什么 die。

处理器：锐龙2400g

主板：华擎B350 ITX

硬盘：pm961 256G

机箱电源迎广肖邦

网传镁光E die在牙膏厂可以4000+，并且对于cpu的IMC压力较小，那么在于按摩店平台上表现如何呢？小白级业余玩家和大家简单分享一下：

英睿达给的默认时序很高，感觉没有多少压榨空间。首先用aida64测了一下读写性能和延迟，确实很差。双通道读 37 G/s，写 39 G/s，复制 33 G/s，这数据基本没法看，延迟接近100 ns（AMD这锅我背o(╥﹏╥)o）。

首先默认参数下直接3200走起，1.2V内存电压居然一次就开机了，镁光有长进。之前玩过全何的ddr4 2133的内存，颗粒是镁光B die，无论怎么改时序加电压，最高只能2666。开机进行简单测试后，看到惨不忍睹的时序，马上重启尝试压缩时序。首先最常见的16-18-18走起，无法开机，加电压1.4V还是无法开机。后来听说镁光第二第三时序较高，尝试16-19-19-36 1.2V，电脑成功启动，读写性能和延迟有了一些提高。但是和其他内存3200相同时序比差距很小，并且电压只有1.2v。用科赋普条afr颗粒模拟了一下同时序下内存性能，内存电压为1.35v，科赋在1.2v无法开机。上图是英睿达数据，下图为同参数科赋。

由于内存稳定性测试时间太长，仅简单测试了一下，用aida64单拷内存，差不多烤了半个小时，内存正常，拷完忘记截图了，在6分钟多截图了。

在我使用的平台上，这套内存最高只能3466开机，并完成简单测试，但是无法通过稳定性测试，aida64单拷内存基本5分钟左右就红了，memtest测试也很快就报错。放宽时序加电压应该能通过测试，考虑到我的小机箱以及普条没马甲，散热压力太大，就没进一步进行稳定性测试了，主要是怕内存烧掉了，咸鱼入的没保障。

240左右的价格在一个月之前应该还是很香的，毕竟超频和海力士的afr差不多，虽然时序较高造成读写性能差（我手上科赋内存在测试平台上最高只能3266 16-15-15-32 1.35v，读 46 写48 复制42+ 延迟70ns；华擎一波sao操作，最新bios手上afr只能3266了，之前可以3466的），但是电压低，散热压力小。如果200左右的价格，我还是很推荐大家购买的，但是现在略贵，并且选购存在困难，目前已知的e die有D9VPP D9VPS C9BJZ C9BHS D9WFL ，欢迎大家补充。

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