为了解决这一难题，全球科学及产业界开展大量的研究工作，并于近年连续取得重大突破。其中引领这一领域研究的机构和公司包括：中山大学蔡鑫伦科研团队及其创办的铌奥光电、美国哈佛大学科研团队及其核心成员创办的Hyperlight、诺基亚-贝尔实验室、富士通公司等。

铌奥光电创始人及董事长蔡鑫伦教授带领的研究团队在薄膜铌酸锂调制器研究领域逐一攻克了众多技术难点，实现了重大技术突破，并取得了一系列全球突破性成果，如最高带宽的硅与铌酸锂异质集成调制器芯片（Nature Photonics，2019中国光学十大进展）、世界首例铌酸锂薄膜IQ调制器芯片（Nature Communications，2020中国光学十大进展）、世界首例铌酸锂薄膜偏振复用相干光调制器芯片（Optica，2021年联合华为演示1.96Tb/s的单载波相干传输最高数据传输净速率）、创全球记录的超高波特率（260Gbuad）铌酸锂薄膜双偏振相干调制器芯片（PDP ECOC 2022，2022年9月联合贝尔实验室、III-V实验室、是德科技等在欧洲光通信大会首次实现260G波特的DP-QPSK信号100公里传输距离）等。

薄膜铌酸锂特性优异，市场前景广阔

相较于其他光电子材料，如磷化铟（成本受限）、硅光（性能功耗受限）、铌酸锂晶体（尺寸受限），薄膜铌酸锂可实现超快电光效应和高集成度光波导，具有大带宽、低功耗、低损耗、小尺寸等优异特性，并可实现大尺寸晶圆规模制造，是非常理想的电光调制器材料。

铌奥光电开发的薄膜铌酸锂调制器芯片目前已可实现超低驱动电压（Vπ