半导体工艺:氧化/扩散/退火

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半导体工艺:氧化/扩散/退火

2024-07-11 05:14| 来源: 网络整理| 查看: 265

氧化/扩散/退火设备是半导体制造环节中的重要热工艺设备。

氧化是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理,在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程。

扩散是指在高温条件下,利用热扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中,使其具有特定的浓度分布,从而改变硅材料的电学特性。

退火是指加热离子注入后的硅片,修复离子注入带来的晶格缺陷的过程。

用于氧化/扩散/退火的基本设备有三种:卧式炉、立式炉和快速升温炉(RTP)。根据 2018 年 Gartner 的数据,氧化/扩散/退火设备占晶圆制造(含先进封装)设备的 3%左右。

氧化工艺

氧化是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理,在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程。氧化膜的用途广泛,主要有以下几个方面:

(1)保护器件免受划伤和沾污;

(2)表面钝化层;

(3)形成栅极氧化层或者作为存储器单元结构中的介质材料;

(4)掺杂过程中的掩蔽层;

(5)金属导电层之间的介质层等等。返回搜狐,查看更多

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