思路名称都是基于华硕主板，但都大同小异，遇到不懂的名称自行百度。

01.F7 - 高级模式

02.Ai Tweaker - 智能系统调节

03.BCLK Frequengy : DRAM Frequency Ratio-内存时钟       100：100  

（5000频率以上会选择100:133）D4超不上时也可以切换试试

04.Controller :DRAM Frequency Ratio - 内存控制器比率模式   1:1   

（5000频率以上会选择1:2）D4超不上时也可以切换试试

05.DRAM Frequengy - 内存频率       4000

06.DRAM Voltage - 内存电压

（内存电压是不建议超过 1.5v）

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非必选项不计入序号  想手动调整小参且有耐心时可以调整的参数

DRAM Timing control-内存时序控制

时序16-17-17-28  这是比较宽松的小参

DRAM Command Rate - DRAM指令速率               2N

MRC 快速启动            Disable                                  此选项不一定有

（每次开机走一次完整的自检）

时序越低，延迟越低，性能越强

Gear 模式    Gear 1                                                   此选项不一定有

High DRAM Voltage Mode - 内存高电压模式            此选项不一定有

CPU System Agent Voltage Override - 处理器系统代理电压     （常说的简称SA电压）

DRAM Refresh Interval-DRAM刷新间隔     65535

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这些参数目前不懂，参考都来自网络

CPU System Agent Voltage Override    简称SA电压

Auto能开机就别管这个参数是在开不了机微调时用，目前我也不懂，

SA电压             1.35V到1.5V的范围内，并根据具体硬件的体质和需求进行适当调整。

VDDQ电压        1.35V到1.5V的范围内，并根据具体硬件的体质和需求进行适当调整。

VCCIO电压       1.35V到1.5V的范围内，并根据具体硬件的体质和需求进行适当调整。

关于SA VDDQ调整推荐(个人经验的建议)

(如果自动SA VDDQ都能超上去，那就不要再动它了，调这个真的非常麻烦，如果觉得自已CPU体质太雷上不去4000，那就调整试一下吧)

SA这个电压 不一定是低或者高，看你CPU体质自己摸索，有的调低稳定 有的调高稳定往低可以1.25，1.2，小于1.2，尝试，往高可以 1.35 ，1.4，1.45左右尝试

VDDQ 目前经验 偏向于往高了稳定，如果自动VDDQ不行，那就往1.35,1.38+上加

12代说实话比AMD难调的非常多，经常昨天稳定了，过一天就不行了，明明一模一样的参数没有动过，昨天过测了几十分钟，今天一开就得报错，如果恰巧CPU内存控制器体质一般加上华硕，难度会再次大增。

CPU/内存的几个电压，sa电压CPU VDDQ（IVR电压）CPU vdd2（MCV电压，imc电压，vimc电压，不同的叫法）内存的VDD VDDQ电压

首先，他们说不同的主板和CPU电压都是不同的，但其实基本都是差不多的，首先是SA电压，双槽板一般是1.25V左右，这是双槽版才是这样的，四槽一般是1.3V左右

然后是CPU 的两个VDD电压，这个东西，是集成在CPU内部或者说是CPU的引脚电压，根本跟内存电压毫无联系。一个在CPU端一个在内存端

这俩电压本身需要维持住频率，所以不能太低，但是电压高了IMC（因特尔内存控制器）会严重发热，而且IMC在CPU内部受到CPU本身温度发热的影响，且没有外部软件可以检测到所以说电压高了也不行，电压高了不行本质上就是温度高了不行

所以说，CPU本身超频到5.6 5.7G对内存超频有严重影响，这也是很多人为什么今天稳了明天又不稳的原因，本质不是内存不稳是IMC不稳定。冬天和夏天也是不一样的，IMC对温度敏感。很多发作业的叼一毛就喜欢误导别人，超个7200频率一上来就叫别人设置CPU vddq vdd2 双双1.4v，甚至超个7400 7600就设为双1.42v这明显自己都不会还来瞎教，CPU 的两个VDD电压只要能维持频率就足够了，接下来是越低越好，越高越不好！

cpu的 vddq电压你可以看做是D4的sa电压，其实anta777的报错检测也是管用的，一般电压过低都是秒报错，但是电压过高的话会等十几二十分钟才会报错甚至三四十分钟才会报错。anta777说SA电压过高其实指的不是那个sa而是这个cpu vddq电压。vddq电压一般来说1.35V就足够了，有时候还需要进一步降低到1.33v。这个东西，也跟你CPU的散热有关，如果你是360水冷散热CPU散热极好那么即使电压稍微高点IMC也可以抗住有助于上高频。反之会起负作用外网很多超到8400 8600的超频 cpu的VDDQ电压都是1.35V，清一色的而下面这个vdd2电压则是起较大作用的，一般8000频率都设置到1.45V及以上如果你只是超个7200，那么1.38-1.4v就够用了

其实你可以根据tm5的报错来，sa电压几乎是恒定的，tm5报错说SA或者IO电压过高或者过低，调整vddq vdd2电压才是对的你降低或者增大，报错少了或者更长时间才报错说明你的方向是对的

另外，那个1US真的搞笑，TM5就别跑1us了，那玩意儿就是搞笑的，对imc的压力简直如同儿戏，heavy5opt也没啥用，tm5里面还就得anta777 extrem1才测的出来。而且其实这个也不是很好用，tm5偏重于内存那一端的检测，着重于内存的正确性压力，对CPU IMC的压力太小了。而YCruncher才是检测cpu imc的唯一正解，记住，yc其实不是检测你时序是否设置对了而是检测cpu imc扛不扛得住的东西1 8 16 0这个按键顺序，按过去，yc里面有好几个配置文件，现在的版本跑的都是VT3配置文件，先要关闭别的测试文件，然后单独启动VT3。有些人TM5不知道怎么加载文件，连YC怎么加载也不会，yc跑的是VT3而且是重复跑好几圈。

https://tieba.baidu.com/p/8791130803

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01.我的内存型号:

英容达 铂胜，默认 2666mhz，xmp3200mhz 两根 16G 内存，镁光 c9bjz 颗粒。

02.TM5 烤内存：

关于 tm5 的 ex777 配置文件烤 32G 内存，我的经验是 1、3、12、15、30、80分钟是一些关键结点，大部分的报错都落在这些时间段，因此我们下面烤内存都以 30 分钟为准(16G 内存可以酌情减少测试时间，跟我的时间也完全 OK)，80 分钟太久了。

03.测试内存是否合格：

恢复 bios 默认设置，开启xmp,进入系统使用TestMem5(配置文件 extrme @anta777)烤内存测试，32G约 1.5h-轮，两到三轮通过0报错即表明内存合格(xmp下报错有1个就退货)，开始超频

04.确定内存频率体质上限

首先测试颗粒体质上限设置内存时钟 133，内存比率1:1 Gear1 模式，时序固定为 18-22-22-45-700;建议按 3600，3733，3866，4000，4133，4266的顺序测试，因为之前拿到手直接能拉到 4000(不知道是否稳定)，我这里从就 4000 的 1.45v 开始;

4000，1.45，烤内存 30 分钟测试通过;

4133，1.45，无法开机，尝试加压，每次 0.01;

4133.1.46-1.50.均无法开机，尝试降压，0.01;

4133.1.44-1.40，均无法开机;

改变内存时钟 100;

尝试加压;4100.1.45，系统蓝屏，

4100.1.46，系统蓝屏:

4100，1.47，无法开机尝试降压;

4100，1.44，系统蓝屏

4100，1.43，无法开机:

结论:4000 应该是该内存颗粒的体质上限，1.45v的电压应该是目前比较合适的电压(在蓝屏电压的正中间，蓝屏比不能开机好)。

05.时序科普

内存寻址大致过程:确定行 RAS→准备工作 tRCD→确定列 CAS

CAS(CL)      tRCD                         tRP                                           tRAS

确定列      准备工作      （指令间隔，RAS 预充电）          总共时间，循环周期

一般先压 CL，3再同时压 tRCD、tRP，1最后压 tRAS 与其他小参。

            (12~18)                  (14~24)             (CL+tRCD+1~5)

06.压缩主时序的 CAS 值(CL值)(第1个小参)

下面压缩第一时序的 CAS(CL)(18 开始)，使用 4000(100内存时钟*40加速比率)，我个人猜想这样或许可以将更多的压力给 cpu 分担，使得时序可以压下去更多;

17，1.45v，烤内存 30 分钟测试通过

16，1.45v，烤内存 30 分钟测试通过;

15，1.45v.系统直接蓝屏，尝试加压;

15，1.46v，开始烤内存蓝屏;

16，1.47v，烤内存瞬间大量 4 号报错；

15，1.48v，烤内存若干4号报错;

15.1.49v，烤内存1分钟后少量4号报错;

15.1.5v、烤内存 13 分钟后 2 号+14 号报错;

15，1.51v，烤内存 30 分钟测试通过，多测试一会以免不稳定，内存表面温度还行,稳定通过 100 分钟烤内存测试!CL15 可以说是不错的时序了!

小面尝试压到 14;

14，1.51v，无法开机:

14，1.52v，无法开机;

14.1.53v.系统蓝屏:

14.1.54v.系统蓝屏;

14，1.55v，系统蓝屏，或许继续加电压可以稳定，但这里就是我能接受的最高电压，算了!

07.压缩主时序的 tRCD 和 tRP(第 2、3 个小参)

接下来压缩第一时序的 tRCD 和 tRP，这两个参数当前是 22-22;21-21，烤内存 30 分钟测试通过;

20-20，3分钟若干4号报错;

20-20，1.52v，8分钟一个无提示报错20-20，1.53v，10 分钟若干无提示报错:目前稳定参数为 100-4000-1.51-15-21-21-45-700，tRCD 和 tRP 即使继续加压也很难压到 20 了，尝试放到CL16 压一下这几个参数。

1.45v，16-20-20-40-650，若干报错:

1.47v，16-20-20-40-650，若干报错

1.5v，16-20-20-40-650，若干报错;看来 tRCD 和 tRP 压到 21 是这两根内存 4000mhz 的极限了!松到 1.45v 的 16-21-21，那不是和 1.51v的 15-21-21 差不多了吗?就是电压可以稍微低点。

1.45v，16-21-21-40-650，烤内存 30 分钟测试通过:

08.CL16+低电压 or CL15+高电压?

那么接下来有两个方向(定压，压 tRAS):

1.固定 4000-16-21-21，因为 1.45v是个比较能接受的电压，所以先压缩一下后面的 tRAS 时序，最后看看能不能压电压:

2.固定 4000-15-21-21，固定 1.51v，继续压缩后面的 tRAS 时序，电压应该是不可能再动了!  经过一系列 aida64 的内存性能测试，发现后面两者差距肉眼难辨，选择 CL16 低电压稳定点!

09.压缩第四个小参

1.45v-16-21-21-39-650，烤内存 30 分钟测试通过；

1.45v-16-21-21-38-650.烤内存 30 分钟测试通过；

1.45v-16-21-21-37-650.若干4号报错;

1.46v-16-21-21-37-650，个别4号报错;

1.47v-16-21-21-37-650，若干4号报错，不试了，根据 16+21=37 可知 tRAS 应当>37，这不是加电压就能解决的，tRAS 确定为 38。

10.压缩第五个小参

目前 CL16 的参数是:1.45v-16-21-21-38-650;

下面压缩最后一个小参，这个小参对性能影响应该不大，但还是压一下吧1.45v-650，烤内存 30 分钟测试通过;

1.45V-600，烤内存 30 分钟测试通过:

1.45v-560.无法开机;

烤内存 30 分钟测试通过;1.45v-580，

1.45v-570，无法开机;

1.45v-575，烤内存 30 分钟测试通过,看样子这最后一个参数要么就是能过测，要么直接开不了机，就这样吧，确定为 575;

11.降低电压

1.44v，烤内存 15 分钟测试通过(要是电压不够早报错了，15 分钟快一点);

1.43v，烤内存 15 分钟测试通过:

1.42v，无法开机，确定为 1.43v;

那么目前基本所有参数就确定了:

100时序-4000频率-1.43v电压-16-21-21-38-575:

12.测试 imc 抗压/高温能力

使用y-cruncher(1，8，16，0)高温烤 CPU+内存，能抗住 15~20 分钟不报错就算通过!报错(红字)自动停止烤机则表明imc 控制器吃不了这么高的压力(频率、温度)，只能采取降低内存频率-增加时序降 低加速比率-等方法降低压力!换言之就是不要卡的那么死!

网页链接

TM5和y-cruncher下载

链接：https://pan.baidu.com/s/14xS6NA1BM4Bsn-nW9SEvfg?pwd=k188 

提取码：k188