PCB的正面是一颗主控和另外四颗闪存颗粒。这颗编号为TOSHIBA TC58NC1010GSB的主控源于群联PS3111方案，但采用了独有的东芝定制固件。主控的上方覆盖有导热垫，可将主控高速工作时产生的热量快速传导至金属外壳上发散，这是大多数非原厂固态硬盘所没有的增强稳定性设计。

PS3111为双通道、无外置缓存方案，所以在PCB板上我们看不到独立的DRAM缓存芯片。因为主控闪存通道数量不高，每颗粒只能引出一个通道的TSOP封装在这里并不会成为短板。

下面来看闪存颗粒特写。这是一颗东芝原厂BiCS3闪存，编号为TH58TFT0T23TA2H，产地日本，生产周期为18年第六周。东芝的闪存颗粒封装地主要有日本、台湾和大陆三处，但封装地不会影响闪存的品质，所有BiCS3闪存晶圆都是在东芝位于日本三重县四日市的Fab 6工厂制造。

闪存编号对于普通玩家来说就像一段咒语，完全看不明白其中的含义。每个闪存原厂来说都有自己的一套编号定义规则，对于东芝闪存来说，所有闪存部件都以字母T开头，分为TC58和TH58两种，前者代表单芯片封装（颗粒内只有一个闪存die），后者代表多芯片封装（颗粒内有多于1个die）。我们在东芝TR200 960G固态硬盘中看到的是后者。

东芝闪存编号的第五位“T”代表闪存接口类型为Toggle：一种由东芝和三星领导的闪存接口标准，区别于美光和海力士提出的ONFI标准。第六位的“F”代表闪存工作的Vcc电压为2.35V~3.6V、VccQ电压为2.7V~3.6V或1.7V~1.95V。

第七和第八位需要连同在一起来看，代表闪存颗粒的容量，T0对应的是1T比特，也就是128GB。东芝TR200使用了8颗闪存，闪存总容量1024GB，扣除二级OP预留空间后实际可用为960GB。

第九位的“T“代表8 Level（3bit/cell），即TLC类型。第十位的2代表Page页大小为16KB。第11和第12位连在一起表达封装形式，TA表示使用无铅、无卤素环保工艺的TSOP封装。右数倒数第二位的“2”代表单闪存通道、2个CE引脚。

由公开资料可知，BiCS3是东芝第三代3D闪存，采用64层三维堆叠工艺，只有TLC一种类型，单Die容量256Gb或512Gb。

借助phison flash id识别工具，可以对闪存与主控的硬件配置情况进行一番验证，检测结果如下：东芝TR200 960G使用的PS3111主控内置32MB缓存，闪存规格为256Gb/die的东芝64层堆叠BiCS 3D TLC，每CE容量512Gb，Page大小为16KB。与上文中通过闪存编号得到的信息一致。

Flash ID软件的识别能够免除拆解过程，但是这个软件只能识别出闪存类型，并不能判断闪存是原片还是白片，目前要找高品质原片闪存的固态硬盘，最好还是直接选择原厂型号。返回搜狐，查看更多