Insulated Gate Bipolar Transistor (简称 IGBT) 是一种新型功率半导体器件，常用于电力变换和控制领域。它具有 MOSFET 的输入阻抗和 BJT 的低饱和压降，并结合了二者的优点。IGBT 的结构可以将输入电容降至最小，并通过使用 PN 结调制来实现零漏电流。

IGBT 是一种三端功率开关，通常包含一个控制端、一个集电极和一个源极。该器件通常用于需要高电压和高电流开关的应用中，例如家庭用电器、电机驱动器、电动汽车驱动等领域。

IGBT 引脚图如下所示：

IGBT 的工作原理类似于普通的 NPN 三极管。当正向偏置控制极时，控制区将产生一对电子-空穴对。由于集电区的低电阻，电子和空穴在集电区相遇并再生形成一个快速变化的电流脉冲。这个脉冲的大小取决于控制极电压的大小。因此，正向偏置控制极可以用来控制 IGBT 的放电。

IGBT 主要用于大功率元件的开关控制。由于 IGBT 自身带有较高的电阻，因此需要乘以一个功率外部 MOSFET 来降低导通损耗。IGBT 可以用于交流或直流应用，并能够承受高达数千伏特的电压和数百安培的电流。