集成电路的制造，需要将各种不同的元件（晶体管、电阻、电容）做在同一块芯片上去，需要在芯片上做出不同的图形。把光刻确定的图形转移到构成器件的薄膜上，把不需要的薄膜去除，这一过程称为刻蚀。刻蚀分为干法腐蚀和湿法腐蚀。

五、常用湿法腐蚀工艺

1.HF去二氧化硅

说明：HF酸漂去二氧化硅

配比：HF：H2O=1：10

温度：室温

流程：HF酸漂洗（依漂去二氧化硅厚度定时）→溢流5分钟→冲水10次→甩干

2.磷酸去氮化硅

说明：推阱及场氧后LPSIN的剥离

配比：98%磷酸

温度：160℃

流程：HF酸漂洗30sec→溢流5分钟→磷酸槽60min→溢流5分钟→Ⅱ槽清洗→冲水10次→甩干

3、BOE腐蚀二氧化硅

说明：非关键尺寸二氧化硅图形窗口的腐蚀

配比：BOE

温度：室温

流程：浸润剂浸润10秒(上下搅拌10次)→BOE漂（依须腐蚀二氧化硅厚度定时）→溢流10分钟→冲水10次→甩干→镜检有无异常（如黄斑）

注意：1）由于圆片上带有光刻胶，腐蚀前须热坚膜，条件是120℃30min，若腐蚀时间超过3min，腐蚀前热坚膜120℃30min+150℃15min，每腐蚀1min30sec加烘120℃30min。

2）甩干后由操作员镜检有无异常情况（如黄斑），如发现异常立即报告带班技术员，交

技术员处理。如一切正常，继续下道工序。

4、混合酸（去背面）

说明：多晶淀积后的背面多晶去除

配比：5.59LHNO3+0.134LHF+2.27LH2O

温度：常温

流程：热坚膜（150℃30min）→混合酸(1min~2min，上下搅动)→溢流5分钟→冲水→甩干→片检有无异常→BOE漂（背面脱水）→溢流5分钟→湿法去胶→甩干→镜检有无异常

5、硫酸双氧水去胶

说明：去除光刻胶和颗粒

配比：H2SO4：H2O2=3：1

温度：140℃

流程：1槽5分钟→溢流5分钟→2槽5分钟→冲水10次→甩干

6、EKC清洗

说明：金属腐蚀及通孔腐蚀干法去胶后的清洗，去除因干法腐蚀而残留在图形边缘的聚合物

配比：EKC265/IPA

温度：EKC26565℃

IPA室温

流程：EKC槽30min→IPAⅠ槽2min→IPAⅡ槽2min→冲水10次→甩干

六、湿法去胶

1)对于未通电的湿法台，打开EMO,按POWER键；对于通电的湿法台，直接进行下一步。

2)如需配液，则戴好一次性手套，小心配制腐蚀液（H2SO4：H2O=3：1）于Ⅰ、Ⅱ槽中，直到浸没黑线为止。先加双氧水、后加硫酸。

3)给腐蚀槽加热按HEATON键，温度设定为140℃。

4)查看工艺流程单、片号、片数是否一致，如发现异常，立即报告线长或带班长。

5)确认无误后，从传送盒里取出片架，用硅片转换器转换到白色的片架里。

6)待温度升高140℃左右，把白色的片架浸泡在Ⅰ号槽中，按TIMERUN，并不断搅动，

到时间后按TIMERUN键，取出白色的片架放入溢流槽中，按ON键，清洗5分钟，完后按OFF键。

7)从溢流槽中取出白片架放入Ⅱ号槽中，并按TIMERUN键，到时间后按TIMESTOP键，

取出白片架放入快冲槽中，按START键，冲好后按STOP键。

8)取出白片架去甩干。

9)开甩干机门，放稳白片架，关紧门，按START键，甩好后，取出白片架，放上新的白片架，关上门。

10)用硅片转换器将硅片转换到原传送盒片架里。

11)到显微镜下查看硅片，有无异常现象，若无异常现象，认真如实填写好流程单，送下一工序。

12)若不工作时，Ⅰ、Ⅱ号槽按HEATOFF处于HOLD状态。再次去胶时需加点双氧水，

步骤如3～12。

*操作过程中始终保持戴洁净的手套

七、清洗机碎片处理（试行）规定：

A.甩干机碎片：（分新旧机，菜单会不同）

1)取出花篮，剔除碎片，将整批圆片和花篮送氧化做兆声清洗

2)清除甩干机内碎片，将甩干机冲水时间设定为3600sec，rinse、purge、dry1、dry2转速定为300转/秒，空甩一次。

3)将甩干机程序改回原菜单

4)测颗粒：要求>0.5um颗粒增加0.5um颗粒增加