英特尔新任CEO基辛格接棒后，宣布英特尔将进入IDM2.0时代。

今天，英特尔又公布了其下一代制程节点技术的路线图，基辛格表示，公司产品在2025年将重回巅峰！

英特尔认为，只要遵循这个积极的战略，就能在今后几年赶上甚至超过其代工竞争对手，同时开发出新的封装产品，更重要的是这次英特尔重新命名了它的制程工艺。

从图中可以看到，英特尔计划再2023年实现3nm芯片技术，并且在2024年下半年，开始使用自己的制程工艺命名，埃（1纳米=10埃米）。

今年早些时候，基辛格宣布了新的 IDM 2.0战略，主要包括三个方面:

英特尔的目标是继续制程技术的开发，超越目前的10纳米设计，同时利用合作伙伴(或竞争对手)提供的其他代工服务，重夺处理器领域的领导地位，这些处理器为英特尔带来了大量的现金流。

此前在2021年第三季度财报电话会议中，基辛格证实英特尔目前每天生产的10纳米晶圆比14纳米晶圆多，标志着14纳米的工艺可能逐渐要被淘汰。

今天，英特尔制定了2025年之前的技术路线，也重新定义了芯片的技术名称，后面将更关注性能的极致开发，而不仅仅是物理尺寸。

英特尔20A三年后上马，不比尺寸比综合能耗

新的技术名称可以更好地与行业标准保持一致。众所周知，Intel 10nm相当于 TSMC 7nm，数字实际上与物理实现没有任何关系。

不管出于什么原因，许多行业还没有认识到这些数字实际上并不是一个简单的物理量，当从二维平面晶体管转移到三维 FinFET 晶体管时，这些数字纯粹就成了一个营销的噱头。

2021 Intel 7: 以前被称为10nm 增强版或10ESF。Alder Lake 和Sapphire Rapids将是英特尔的7纳米产品，由于晶体管优化，相对于10nm实现了10%-15% 的效能功耗比增益。

2022 Intel 4: 之前被称为 Intel 7 nm。英特尔早些时候表示，它的Meteor Lake处理器将使用基于这种制程的技术，现在已经开始了实验室测试。英特尔预计第一效能功耗比将比上一代增长20% ，而且这项技术使用了更多的 EUV。英特尔的下一个至强可伸缩产品Granite Rapids，也将使用基于Intel 4的技术。

2023 Intel 3: 之前被称为Intel 7 + ，增加 EUV 和新的高密度库的使用。这就是英特尔的战略变得更加模块化的地方——英特尔3将共享英特尔4的一些特性，但3也有足够新的特性，特别是新的高性能库。预计在2023年下半年，欧盟电子设备的使用将进一步增加，相对于英特尔4，英特尔3的效能功耗比将增长18% 。

2024年，英特尔20A: 之前被称为英特尔5纳米。这个制程节点之前看到的细节很少，但这是英特尔从 FinFET转移到(GAA)晶体管的开始，此外，英特尔还将首次推出一种新的 PowerVia 技术。

2025年，英特尔18A: 英特尔预计在2025年有一个18A 的制程上线。18A 将使用阿斯麦公司最新的 EUV 机器，被称为 High-NA ，它能够提供更精确的光刻。英特尔是阿斯麦公司的主要合作伙伴，也将是第一个接收 High-NA 机器的公司。

英特尔已经向外界证实，英特尔3纳米和英特尔20A 将提供给代工客户使用。

为了行业标准统一，节点要被重命名

台积电和三星都是英特尔的竞争对手，这两家都使用较小的数字来定义自己的制程工艺。

随着英特尔技术的重新命名，行业评价标准将逐渐趋于一致。从各家给出的时间表来看，英特尔的4纳米工艺可能与台积电的5纳米工艺推出时间相差不多。

与其到处使用制程大小来代表技术先进性，不如用峰值引用晶体管密度来代替。下面的表格展示了英特尔的技术及对应的产品性能。

英特尔新的4纳米及以下制程的具体位置尚未公布。外界猜测英特尔重新调整其进程节点的命名已有一段时间。

需要注意的一个关键点是，新的 Intel 7节点(以前是10ESF 节点)不一定是我们通常理解的「完整」的制程节点更新，这个节点是从10SF 派生出来的，如上图所示，它将会有「晶体管优化」。

从10纳米到10SF，这意味着 SuperMIM 和新的薄膜设计提供了额外的1GHz + ，然而从10SF 到新的 Intel 7的确切细节目前还不清楚。

英特尔表示，从 Intel 7到 Intel 4将是一个常规的全节点跳跃，Intel 3使用 Intel 4的模块，带有新的高性能库，性能将会再次提升。

在制程工艺命名上，英特尔一直很保守，如果没有重大进步，在技术节点的命名上通常不会有数字变化，而是使用 +/++ 来表示，三星和台积电则是很乐意给出全新的数字。

例如，三星的7LPP 是一个主要节点，然而6LPP、5LPE 和4LPE 都是在同一设计上的迭代工作(可以说也是8LPP 的迭代) ，3GAE会是一个比较大的跳跃，相比之下，英特尔计划将10纳米到7纳米到5纳米作为主要工艺节点，所以三星听上去进化了很多，实际上每个工艺之间并不是差了一整代。

名字不是决定成败的关键，最终还是要看产品实力，制程工艺的进步日新月异，但是后面会越来越慢，埃将成为3纳米以后芯片工艺的主流符号。

参考链接：

https://www.anandtech.com/show/16823/intel-accelerated-offensive-process-roadmap-updates-to-10nm-7nm-4nm-3nm-20a-18a-packaging-foundry-emib-foveros返回搜狐，查看更多