SPI Flash芯片W25Q32英文版数据手册解读(二) |
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接着上一篇文章,由于W25Q32芯片是一个存储器芯片,先对这个芯片有关存储器的一些概念进行解读。 一、存储器相关知识 1、存储器的三个单位:存储器三个等级:页(Page),扇区(sector),块(block) 2、单位换算关系:下面给出手册的截图,见图1-1,截图下面我做出总结 图1-1 对于W25Q32,容量为4MB(2的22次方字节) 1页=256字节,该芯片一共有16384(2的14次方)可编程页 1扇区=16页,该芯片一共有1024(2的10次方)可擦扇区 1块=16扇区,该芯片一共有64(2的6次方)可擦块 3、相关指令:页(Page)程序指令:一次最多可编程256个字节。 扇区(sector)擦除指令:1扇区擦除,即16页一起擦除。 块(block)擦除指令:半块擦除,即128页一起擦除;1块擦除,即256页一起擦除。 整个芯片(Chip)全部擦除指令。 二、W25Q32的寄存器W25Q32共有2个8位的寄存器,名字分别为Status Register-1,Status Register-2,其中只有10位有用,见图2-1,图2-2 图2-1 下面对这10位进行解读 1、BUSY(忙位):手册截图如图2-3 图2-3 只读位,当执行“页编程”,“扇区擦除” 、“块擦除”、 “芯片擦除”、 “写状态寄存器”指令时,这一位由硬件自动置1,此时除了“读状态寄存器”指令,其它指令都会被忽视。当上述操作结束以后,这一位由硬件自动置0,此时芯片可以接收其它指令。 2、WEL(写使能位):手册截图如图2-4 图2-4 只读位,当执行写使能指令时,这一位由硬件自动置1。当芯片掉电重启,或者“写禁止“、”“页编程”、“扇区擦除” 、“块擦除”、 “芯片擦除”、 “写状态寄存器”指令后,这一位由硬件自动置0。 3、SEC、TB、BP2、BP1、BP0(块保护):块保护这部分内容比较多,我先给出手册截图如图2-5 图2-5 对应这部分文字解说有个真值表,见图2-6 图2-6 还需要结合存储器地址分布图,如图2-7 图2-7 由于这个内容很多,我就解读一下怎么看这个表 1、前5列:这个是真值表,数电很熟悉了,不再赘述。 2、第6列表示的是块的编号,第7列表示块的地址范围,第8列表示块的容量大小,第9列表示的是该块在整个芯片的相对位置。 3、以图2-6第二行为例:前5列取值为0 0 0 0 1,表示的是第63块,对应的地址和块容量大小在图2-7对应的最上面,找到63的标号,就可以找到,最后一列Upper表示高位地址,Lower表示低位地址,Top是最顶层地址,Bottom表示最底层地址,分数表示该块容量占了整个芯片的1/64。 4、SRP1, SRP0(状态寄存器保护位):手册截图如图2-7 图2-7 这部分是真值表的形式,这两位是控制5种状态寄存器的状态: 1、/WP无控制功能 ,状态寄存器可写。 2、/WP = 0,状态寄存器不可写。 3、/WP = 1,状态寄存器可写。 4、必须掉电-上电后,状态寄存器才可写(类似于冷启动)。 5、状态寄存器除了在出厂时被写,后面永久保护不可写,即为一次性编程。 5、QE(Quad SPI模式使能):手册截图如图2-8 图2-8 QE位是使能之前说的Quad SPI模式。 QE = 0(出厂默认设置),写保护(/WP)和维持(/Hold)引脚才能工作,也就是工作在标准SPI模式或 Dual SPI模式。 QE = 1,表示写保护(/WP)和维持(/Hold)引脚复用为数据引脚,工作在Quad SPI模式。 最后一行有个警告:就是上一篇文章我最后放的PCB原理图,写保护(/WP)和维持(/Hold)引脚直接接VCC了,QE位不能设置为1,即不可编程写该位,只能工作在标准SPI模式或 Dual SPI模式。 3、总结所有的知识点全部在手册里面,一定要耐心读完英文,牢牢结合手册,这样才能提高阅读文献的能力。 下一篇会讲芯片的指令,根据时序图写程序,并配上完整程序。 不足之处请批评指正,欢迎留言交流,需要完整文档私信我。 |
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