东芝最早提出了3D闪存结构，在应用推广上晚于三星一些，主要是为了等待技术的成熟。第一代48层堆叠3D闪存（东芝称BiCS2）就使用了19.5nm工艺，当代64层堆叠3D闪存（东芝称BiCS3）则使用当前领先的19nm工艺制造。

BiCS2主要见于手机等移动存储芯片，譬如iPhone 7 256G中使用的就是编号为THGBX6T1T82LFXF的东芝闪存芯片。

BiCS2 3D闪存内部结构：

最新一代的BiCS3，也就是东芝64层3D闪存的存储密度相比2D TLC闪存提升2.8倍，达到每平方毫米面积的晶片可记忆3.4Gb数据。最早使用它的是东芝原厂TR200固态硬盘。由于2.5寸规格空间充裕，TR200的闪存采用了多颗TSOP封装的颗粒，容量不变价格更便宜。TR200也是当前最便宜的原厂3D闪存固态硬盘之一，稳定耐用价格实惠。

东芝BiCS3闪存的内部结构图，电子显微镜扫描：

相比NAND闪存，原本是半导体制程应用急先锋的内存已经落后不少，当前最新的内存芯片还停留在18nm 2D水平上。由于三星的垄断，内存价格始终居高不下，也迟迟没有迈向3D化的动作。

其实早在几年前就已经有3D内存理论被提出，基本原理与3D闪存类似，只不过推进3D化会增加短时内研发成本，而现在高度垄断之下躺着就能赚钱，又怎会积极推动技术跨越呢？

近期内存、固态硬盘价格都有所回落，但从降幅来说，现在固态硬盘显然要比内存更值得买。据市场研究机构分析，近几个月将是闪存价格本年度内的低谷，也就是入手固态硬盘的最佳时机。要不要上车，大家看着办咯。返回搜狐，查看更多