存储器之存储器扩展和高级DRAM

上一讲已经为大家介绍了MOS型读写存储器中的两种，即SRAM和DRAM存储器，这两种存储器是组成高速缓存Cache和内存的基本存储器，所以本部分将为大家介绍如何利用SRAM和DRAM存储器构建更大容量的存储器。通过上一讲的介绍可知，DRAM存储器速度较SRAM慢，所以本部分我们还为大家介绍有哪些提高DRAM性能的方法。最后为大家介绍存储器的正确性校验。

1、存储器扩展

存储器扩展分为位扩展、字扩展和位字扩展三种。存储器扩展的关键是CPU发出来的地址线、数据线和控制线如何与存储器的地址线、数据线和控制线进行连接。存储器扩展的步骤主要分三步：计算芯片数、确定地址逻辑和片选信号、画存储器扩展图。

2、高级DRAM结构

高级DRAM结构包括快速页模式动态存储器FPM-DRAM、带高速缓存的动态存储器CDRAM和同步型动态存储器SDRAM。

3、DRAM存储器读写正确性校验

存储上需要多余位进行校验，写入时根据写入数据产生校验数据，连同写入数据一起写入存储器；读出时，连同校验数据一起读出，并校验数据检查数据是否出错。

前面两讲主要为大家介绍了构建内存条的SRAM和DRAM存储器，以及如何利用这两种存储器进行容量扩展。除了DRAM和SRAM存储器之外，我们接下来为大家介绍另外两种存储器，即只读存储器ROM和闪速存储器。