属于DDR存储器接口逻辑电平，虽然是单端，本质上是差分对，因实现机制是将信号与参考电平Vref组成差分对进行比较。

SSTL：Stub Series Termination Logic，短截线串联端接逻辑。

    我们所熟知的DDR 采用的就是这个标准。这个电平标准看着似乎有点陌生，但其实它经常会被使用，只是我们平时关注的比较少。这就比较奇怪了，用的多自然会关注比较多，为什么反而关注比较少呢？因为SSTL电平一般用在DDR SDRAM存储接口上，一般CPU和DDR颗粒都是默认标准的SSTL电平，不需要我们再去做电平匹配的检查，但该电平标准与DRAM接口有绑定关系，所以该逻辑电平与DRAM的标准协议相关：

1. SSTL25 I/O标准用于DDR SDRAM存储器接口；

2. SSTL18 I/O标准用于DDR2 SDRAM存储器接口，1V8电源；

3. SSTL15 I/O标准用于DDR3 SDRAM存储器接口，1V5电源；

4. SSTL135 I/O标准用于DDR3L SDRAM存储器接口，1V35电源；

5. SSTL12支持DDR4 SDRAM存储器接口，1V2电源；

6. DDR5 SDRAM存储器接口支持PODL电平（1.1V）。

目前有两个标准，CLASS-1和CLAS-2

CLASS-1只有输入有戴维南模式，输出没有，且只支持单向传输。

CLASS-2输出和输出都支持戴维南模式，且支持双向传输。

发送同LVCOMS构造相似,接收端采用VREF,具有更小的摆幅和速度。

单端单向模式

差分单向模式

如下图为SSTL逻辑的单端输出、差分输入电路结构；

1. 输出结构与LVTTL驱动并无差别，通过上下晶体管的轮流导通输出高、低电平；

2. SSTL输入是差分结构，因此输入提供了比较好的电压增益以及稳定的阈值电压，具有更小的输入电压摆幅，和更高的可靠性；

——如上右图所示，In与Vref形成差分输入，Vref一般取值为VDDQ/2（举例：VDDQ = 1.8V，那Vref = 0.9V）。

3. 如下图所示为SSTL输出到输入拓扑，需要在终端外部上拉至VTT，一般取VDDQ/2；保证输出阻抗Rs = 线路阻抗Z0；上拉电阻RT用于线路阻抗匹配：RT = Z0;

——因为VTT终端会吸收电流，接收器输入电压（VIN）高于VREF；当输出缓冲器处于低状态时（上管关断且下管导通），电流通过VTT端源电流RT和RS从VTT流向地，从而VIN小于VREF。

    如下图所示为SSTL电平输出为高的情况（以SSTL_18为例），Q1导通电阻RON典型值为20Ω与Rs组合成为源端匹配，两个Rp分压得到VTT与RT配合成为终端匹配阻抗；

（1）输出为高时，电流方向为：VDDQàRONàRsàRTàVTT；所以此时VIN输入端的电压要高于VTT；

（2）输出为低时，电流方向为：VTT à RTàRsàRONà GND；此时VIN输入端的电压要低于VTT。

——数据输出高电平或低电平状态：1，如果输出高电平和低电平的数量完全相等，那么来自高电平向的VTT电流等于来自低电平的源电流；因此，净VTT电流为零，即VTT电压保持Rp分压；2，如果输出高低电平的数量不等，那么VTT将不再是1/2 VDDQ；具体VTT电平取决于Rp的值和平均电流。

——VTT电压电流有流入和流出两个方向，所以由LDO提供VTT的话有特殊要求，必须要求：既能输出电流，又能吸收电流。

   一般情况下，DDR总线都不会只是1驱1的情况，而是1个控制器驱动很多片DDR颗粒；如下图所示线路匹配方式；

    差分信号输入匹配总共有两种方式，如下图所示。

（1）如下左图所示，单端匹配：25Ω上拉到VTT；

（2）如下右图所示，差分匹配：100Ω并联在差分信号之间。

    VREF和VTT的电压取值范围如下图所示（以SSTL_18为例），VREF是以(1/2) *VDDQ为基准，而VTT以VREF为基准。

——我们在实际设计中看到的是，如果VREF和VTT都用分立电阻来搭，那么VREF用1K±1%分压至(1/2) *VDDQ，而VTT则用Rp分压至(1/2) *VDDQ；它们俩追踪的都是(1/2) *VDDQ。

    在DDR SDRAM的实际设计中，我们并没有连接Rs和RT电阻，是怎么回事呢？因为实际DDR设计中，为了简化DDR SDRAM的硬件设计，已经将能集成进芯片的都集成进去了；如下图所示：ODT（数据总线终端匹配电阻设置）和ODI（输出驱动阻抗设置）。

1. 如下图所示为DDR4单端（Single-ended）信号的电平标准；

2. 高/低电平有两个电平标准： AC和DC；当信号穿越AC值时确立了信号进入了高/低电平，而当信号反向穿越DC值时才能用该电平状态离开；

——举例，如下图VIH(AC) = VREF+90mv，而VIH(DC) = VREF+65mv；所以当信号从低跳变到高电平时，必须穿越VIH(AC)才能确立高电平状态，而当信号在高电平波动时，只要不跌穿VIH(DC)，那么认为其高电平是稳定的；这点同普通的CMOS或TTL电平有很大的不同。

2, 如图所示，其参考电平是VREF

VREFCA：表示对地址、控制、命令信号参考标准；

VREFDQ：表示对数据线参考标准；

对VREF的要求如下图所示。

2. 如下图所示为DDR4差分（Differential-ended）信号的电平标准：CK_t/CK_c时钟信号（DQ/DQS类似）。

1, 如下左图为差分信号的判断标准，同样有AC和DC的电平要求；

2, 对差分信号的电平要求之外，还有两个单端时钟交叉点的位置要求。

    全称 The high-speed transceiver logic 高速传输逻辑。常应用在1000phy,和存储器中。结构和SSTL类似。

CLASS-1只有输入有戴维南模式，输出没有，且只支持单项传输。

CLASS-2输出和输出都支持戴维南模式，且支持双向传输。

HSTL和SSTL 输入和输出端端接必须存在，不可以分时处理。

以图为例，假设源端电阻为25Ω，则信号线上的直流电压VDC=0.25V

当输出为VDDQ时，到负载端的电压VAC=0.5+VDC=0.75V

当输出为GND时，到负载的电压VAC=0.25V

 输入输出结构基本上和SSTL相同

 HSTL共有四种电平：

供电电压VDD：可能为1.5V、1.8V、2.5V、3.3V。

输出Buffer电压VDDQ：典型值为1.5V，直接决定了差模电压为1.5V。

接收器的参考电压VREF：通常为VDDQ的1/2，根据接收端Buffer、短接方式不同，VREF电压也有可能不同。VREF电压对噪声要求非常严格，一般要求控制在1%~2%以内。

端接电压VTT：这个电压是非必须的，有些芯片内部可能会集成片上端接，对于地址控制线在拓扑结构简单的情况下完全可以采用源端匹配或者直连的方式实现。

HSTL的输入逻辑电平定义了两个值：AC值和DC值。

AC值

AC值表明了接收器必须满足的时序规范电平，即只有信号的边沿超过了AC电平值才会被认为是有效电平。

DC值

    DC电平的意义就在于清晰的定义最终的逻辑状态，也就是说信号在维持稳定电平时只有高电平不跌落到VIH(DC)的最小值以下、低电平不超过到VIL(DC)的最大值以上就能够保证接收器能够正确的接收数据。

HSTL电平单端输入逻辑

参数

最小值

最大值

单位

VIH(DC)

VREF+0.1

VDDQ+0.3

V

VIL(DC)

VSS-0.3

VREF-0.1

VIH(AC)

VREF+0.2

V

VIH(AC)

VREF-0.2

V

    HSTL电平也支持差分输入，相比单端信号需要额外关注的参数为差分幅值VDIF(AC)\ VDIF(DC)、共模噪声VCM(DC)、以及交叉点的范围VX如下表所示：

HSTL电平差分输入逻辑

VCM(DC)

VDIF(DC)

VCM(AC)

VDIF(AC)

    150Ω电阻用作LVPECL输出的直流偏置（VCC-1.3V），也提供了一个源电流的直流通路。在HSTL接收端，R1和R2被用作戴维南端接，阻抗为50Ω（R1//R2），同时也设定了共模电压（VCM=0.75V）。

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CML和HSTL的互连推荐采用交流耦合。

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CML和HSTL的互连推荐采用交流耦合。

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    全称 High Speed Unterminated Logic 高速非端接逻辑。常在LPDDR2/3中使用。只是在源端串联匹配，没有在接收端并联匹配，功耗可以做到特别低。

它跟SSTL逻辑一样，也定义了ac和dc电平。

POD是Pseudo Open Drain的缩写，字面理解就是“伪开漏极”电平。那为什么是“伪开漏极”呢？让我们看一下它的结构

左）SSTL电平（右）POD电平 

    如上图所示，可以看出POD电平的输出电路和SSTL电平并没有差别，差别仅仅在于POD和SSTL电平的所采用的终端端接方式（ODT）和Vref不同。SSTL电平的Vref是固定值0.5倍的VDD，终端采用标准的戴维南端接；而POD电平的Vref是芯片内部确定，外部的端接只用一个上拉电阻。

    首先，我们先看Vref。理想的Vref位置应该位于数据眼图的中央，即Vref = Vmid = 0.5*（Vhigh + Vlow）。对于DDR4的数据信号理想的Vref位置示意如下：

    然而在实际中，由于驱动器、传输通道以及ODT的非理性特性，眼图的中央位置很难计算出来。每个DQ信号的驱动、传输通道、和ODT都会有偏差，所以每个DQ的Vref都可能各不相同。因此，需要一种自适应的training机制来寻求最优的Vref。

    这种自适应的training机制为DDR4的DQ信号在更低的电平下获得足够的噪声余量提供了有利条件。

   由于POD的参考电平Vref大小会随着驱动强度、负载、传输线特性等不同而改变，因此DDR4数据信号的参考电平VrefDQ是由芯片内部自己产生的，没有外接该电平的管脚，只有地址信号的参考电平管脚VrefCA。POD的VrefDQ通过控制寄存器设置值由芯片自行优化调整，称为VrefDQ Training。

另外需要提及的一点是，LPDDR3的内部端接ODT也是上拉到VDDQ。 

    同时对比SSTL和POD电平，我们可以发现：POD电平只有在低电平时才会有功耗，高电平由于Tx和Rx是等电位的几乎没有电流因此功耗几乎为零。这就是POD电平的另一个优势，使得DQ信号的功耗几乎降低了50%。

     驱动端输出低电平时，POD由于上拉电压高，功耗稍大于SSTL，正因此，DDR4多了一个DBI功能，即数据总线翻转，当一个字节里0的位数大于1的位数时，可以将0和1反转，以降低功耗。

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