NAND FLASH原理图 NAND FLASH是一个存储芯片 那么: 这样的操作很合理”读地址A的数据，把数据B写到地址A”

问1. 原理图上NAND FLASH和S3C2440之间只有数据线，怎么传输地址？ 答1．在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址当ALE为高电平时传输的是地址，

那么在数据线上是不是只传输数据和只传输地址呢？

我们参考NAND FLASH的芯片手册可以知道，对NAND FLASH的操作还需要发出命令，下面有个NAND FLASH的命令表格

问2. 从NAND FLASH芯片手册可知，要操作NAND FLASH需要先发出命令怎么传入命令？

答2．在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址，也传输命令：

问3. 数据线既接到NAND FLASH，也接到NOR FLASH，还接到SDRAM、DM9000等等 那么怎么避免干扰？

答3. 这些设备，要访问之必须”选中”，没有选中的芯片不会工作，相当于没接一样。

问4. 假设烧写NAND FLASH，把命令、地址、数据发给它之后，NAND FLASH肯定不可能瞬间完成烧写的，怎么判断烧写完成？

答4. 通过状态引脚RnB来判断：它为高电平表示就绪，它为低电平表示正忙

问5. 怎么操作NAND FLASH呢？

答5. 根据NAND FLASH的芯片手册，一般的过程是：

发出命令

发出地址

发出数据/读数据

看上面的命令表格，不容易看，我们看一下读ID的时序图，

每个NAND FLASH都内嵌一些ID(譬如：厂家ID，设备ID)，时序图从左往右看，纵向放是一列一列的看。

对于我们s3c2440来说，内部集成了一个NAND FLASH控制器，2440和外设连接的简易图，如下图所示

NAND FLASH控制器，帮我们简化了对NAND FLASH的操作，下面来分析一下不使用NAND FLASH控制器和使用NAND FLASH控制器对外设NAND FLASH的操作。

发命令：

NAND FLASH

S3C2440

选中芯片

NFCMMD=命令值

CLE设为高电平

在DATA0~DATA7上输出命令值

发出一个写脉冲

发地址：

NAND FLASH

S3C2440

选中芯片

NFADDR=地址值

ALE设为高电平

在DATA0~DATA7上输出地址值

发出一个写脉冲

发数据：

NAND FLASH

S3C2440

选中芯片

NFDATA=数据值

ALE,CLE设为低电平

在DATA0~DATA7上输出数据值

发出一个写脉冲

读数据 ：

NAND FLASH

S3C2440

选中芯片

val=NFDATA

发出读脉冲

读DATA0~DATA7的数据

用UBOOT来体验NAND FLASH的操作：

S3C2440

u-boot

选中

NFCONT的bit1设为0

发出命令0x90

NFCMMD=0x90

发出地址0x00

NFADDR=0x00

读数据得到0xEC

val=NFDATA

读数据得到device code

val=NFDATA

退出读ID的状态

NFCMMD=0xff

下图是读操作时序图

对于存储为256M的NAND FLASH，需要28条地址线，来表示这个地址值，根据原理图可以，只用8根地址线，所以需要4个周期的地址，为了兼容更大容量的NAND FLASH，要发出5个周期的地址。

2，读数据

S3C2440

u-boot

选中

NFCONT的bit1设为0

发出命令0x00

NFCMMD=0x00

发出地址0x00

NFADDR=0x00

发出地址0x00

NFADDR=0x00

发出地址0x00

NFADDR=0x00

发出地址0x00

NFADDR=0x00

发出地址0x00

NFADDR=0x00

发出命令0x30

NFCMMD=0x30

读数据得到0x17

val=NFDATA

读数据得到0x00

val=NFDATA

读数据得到0x00

val=NFDATA

读数据得到0xea

val=NFDATA

退出读状态

NFCMMD=0xff

存储芯片的编程

NAND FLASH存储芯片编程

初始化

主控芯片的NAND FLASH控制器的初始化

识别

读取ID

读操作

一次读一个页(page)

写操作

一次写一个页(page)

擦除

一次擦除一个块(block)

NAND FLASH控制器的时序，是为了让NAND FLASH外设工作起来，假如外接不同的 NAND FLASH外设，那么它的操作时序可能就会不同，所以NAND FLASH控制器发出 的时序图，就是不一样的，所以我们根据NAND FLASH外设来设置NAND FLASH控制器，

NAND FLASH时序图，如下所示：

我们在汇编语言中已经设置HCLK为100MHZ，一个周期T = 1000/100 = 10s，通过上面三个图可以知道：TACLS的值可以为0；TWRPH0的值可以为1；TWRPH1的值可以为0。

所以NFCONF寄存器设置如下：