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美光科技将在日本增产智能手机存储器 2014/11/11 PRINTEMAIL 美国半导体企业美光科技（Micron Technology）将增产用于智能手机等产品的半导体存储器。将向去年收购的原尔必达存储器位于日本广岛的工厂投资1千亿日元，力争2015财年（截至15年8月）内将产能提高20%。今年美光科技在该工厂时隔3年重启大规模投资，计划通过积极投资来追赶在相关领域位居全球首位的韩国三星电子。 美光科技将在广岛增产使用最尖端微细加工技术（线宽为20纳米）的DRAM。和上一代25纳米线宽相比，从1枚晶圆上可以获得的半导体芯片数量将增加约20%，生产效率将大幅提高。美光科技还将在旗下的台湾工厂实施增产投资，争取将美光整体的DRAM供给能力提高20%。 美光本财年计划在全球实施38亿美元的设备投资，将把一半左右用于DRAM。该公司的首席执行官（CEO）马克·杜尔坎(Mark Durcan)在接受日本经济新闻（中文版：日经中文网）采访时表示“移动终端和服务器等产品的DRAM需求旺盛，今后也将根据市场动态，积极实施投资”。 关于长期保存数据的NAND型闪存，杜尔坎表示将在2015年推出使用最尖端三维技术的产品。三星占据领先优势的产品方面，计划在原尔必达的秋田工厂完成部分生产工序。 版权声明：日本经济新闻社版权所有，未经授权不得转载或部分复制，违者必究。 欢迎注册日经中文网邮件订阅。报道评论 相关报道 Tokyo Electron社长：半导体需求在下半年复苏三星将在韩国建设半导体新基地，代工尖端产品雅萌利润大降18%，因中国业务环境恶化三菱电机增产高效节能的碳化硅功率半导体台湾19家主要IT企业2月减收8.5％ 欢迎注册日经中文网邮件订阅，将为您免费提供财经动态。
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