引言：ddr5的超频难度相对于ddr4是成倍增加的，其一是有更多的电压需要调节，设定电压并非越高越好，而是存在一个“甜点值”，其二温度对稳定性的影响也变得巨大，cpu超过70度，内存超过45度都可能会出现耐温不稳问题。本篇除了介绍超频的方法外，还会简单的说明稳定性的检测方法。除本专栏外还有一段视频，请配合食用。

示范平台：13600kf+金百达16g*2，海力士adie颗粒。

目标频率：6800mhz-7400mhz。

一、准备工作

芯片-系统代理SA配置-内存配置。

热启动时内存测试-关闭，内存最大频率-12800，掉电模式-掉电，MRC快速引导-关闭。

关于MRC快速引导的启停，在视频中有更详细的说明。

超频-超频-开启。

启动-设置逾时值-2，方便出logo后进bios，超频完成后改回1。

二、相关电压

cpu电压：vddq (精粤目前无法手动调节）、vdd2、sa、aux

内存电压：vdd、vddq、vpp

vdd2：超频-平台电压覆写-VccDD2覆写启用-打开。

默认电压为1.1v，从1.35v起步，12代体质一般不能超过1.45v，13代可以高一点到1.5v，不过总体来说这个频率不会需求太高，追求高频可以尝试稍加。

aux：启用处理器覆写VCCIN AUX-打开。

默认1.8v，aux电压略微提高可以帮助超频稳定，可以直接给1.85v。

sa：超频-SA-SA电压模式-覆写。

对于ddr5来说，sa电压要求没有ddr4那么高，锁sa的cpu也可以尝试高频。解锁sa电压的处理器可以微加一点，对于本主板上绝大多数情况，1.1v-1.3v足以应付，冲击高频需要自行摸索甜点电压，如果出现给超过1.2v不启动的情况，建议降低sa电压再尝试。

内存vdd、vddq、vpp：超频-内存超频配置，最下方三个。

vdd：单面海力士adie建议电压：1.35v-1.45v，超过1.55v提升很少，同时电压高发热还变大，不建议无脑高压。

vddq：在vdd电压基础上减0.02v-0.05v，有助于烧机。

vpp：默认1.8v，加压0.05v-1v，有助于烧机。

DIMM配置文件：默认--自定义。

内存电压：不生效，在选择时会改动下方vdd、vddq电压，任何时候都以vdd、vddq电压为准。

Gear比率：2

内存参考时钟：100，133经测试不生效

内存倍频：倍频*参考时钟=频率，如图示68*100=6800mhz

接下来根据关联情况分组介绍小参，除tREFI外越低越好。

tCL：必须是偶数，建议从34开始尝试，可以到32，30。

tRCD/tRP：46~40，可以是奇数，如果第一步cl可以到30，从44开始尝试。

tRAS：实际意义不大，推荐保守值：tCL+tRCD+2，有兴趣的可以自行尝试降低，最低不低于28。

tCWL：tCL-2或-4

tFAW：32或16

tREFI：沿用华硕主板规则，256*1024/n -1，n为整数。在这张主板上设定最大为65535，也就是n=4。如果烤机时高温报错，降低该数值（即增大公式里n值）

tRFC、tRFC2、tRFC4:查表，给相同数值。

tRFCpb：查表。

建议tRFC从第二加粗排（160ns）开始尝试，tRFCpb从第一加粗排（130ns）开始尝试。

tRRD、tRRD_L、tRRD_S：均为8

tRTP：12

tWR：6的倍数，不可低于tRCD，建议从60开始尝试

tWTR、tWTR_L、tWTR_S：tWTR=tWTR_S，tWTR_L=tWTR_S+12或14

推荐从6、18开始尝试。（实际为10、22）

在这张主板上，tWTR项目实际值对比BIOS会+4

这里演示下BIOS里设定tWTR_L=6,tWTR_S=18的结果。

tCCD_L：无效，输入任何数值均锁定20

N模式支持：2

四、超频流程

如果在设置完后重启没有过检，则主板会自动断电重启一次，同时重置如下部分的参数。

在压小参的过程中注意手动记录这部分数值。

内存超频的原则是先超频率、再压小参。不要压参的同时去尝试频率！在进入BIOS后先填入保守的小参，调节内存和CPU相关电压去测试开机最大频率，成功进入系统后进行稳定性测试，请在测试的时候关闭所有后台软件：

轻负载测试：TM5-1usmus by Neten

使用方法：管理员模式打开，选择右下角load config&exit，打开DDR5_1usmus_v3.cfg，再次启动，左下角Customize与下图一致为准。默认设置为20圈，可以跑三圈做快测，无报错后切换为重负载测试。

CPU控制器（imc）重负载：y-cruncher

yc主要用于检测CPU在高温下的稳定性。

使用方法：打开后一次按下：1 回车 8 回车 16 回车 0 回车。此时进行N64稳定性测试，在yc下CPU会跑到相当高的温度，两分钟一圈。yc推荐最多跑30圈，跑太久可能会损伤CPU！

内存重负载：Runmemtestpro

右上角按钮：显示/隐藏系统信息，显示隐藏底部日志。

开启数量：设置与CPU线程数相同。

可拖拽框线：选择烧机容量

测试结束后动作：设定测试比例/时间结束，以及结束后行为。

最大内存容量大小：设定单个测试占用最大内存，如果默认2048无法沾满则填入更大数字。

启动后重新计算：勾选后开启会自动计算容量，免去拖拽线框的麻烦。

按钮：显示状态、设置、烧机/停止、快照

测试内存最大频率时，推荐跑至200%。

固定最大频率后，进入BIOS将MRC快速引导切换为开启。调教小参仍以RMT为主，每调整一个参数，进行一次50%以上的烧机。小参的尝试与上面的顺序保持一致，其中tREFI可以放到最后。与温度关联较大的几个参数，tRFC参数组和tREFI需要测试到200%以上。所有参数结束后可以跑一次500%做最终检测。

注意：如果出现无法打开的情况，将启动文件Runmemtestpro.exe改一下名字即可。

测试时注意平均测试速度，一般不应低于70MT/s

想在烧机时监控温度状态，或者是查看电压参数，可以在烧机前开启Hwinfo。

关注下图中标红的几个电压，同时可以通过SPD Hub温度了解内存的通风情况。

想要改善温度，最佳的散热方式是在内存上方固定一个风扇。固定架淘宝有卖。

内存时序通过ASRtc查看

相关软件已整合进云盘：https://share.weiyun.com/qCkd0Oq4