1.一种改善半导体工艺中光刻图案线条边缘粗糙度的方法，所述方法包括：在需要形成图案的半导体层上涂覆光刻胶；对所述光刻胶曝光显影，以形成带有图案的光刻胶；对所述带有图案的光刻胶进行低能、高束流和高剂量的离子注入，以形成硬掩膜，其中15 16所述离子注入的能量在10～30KeV范围内，所述离子注入的剂量在1×10 ～1×10 atom/2cm 范围内，且所述离子注入的束流量大于10mA；以所述硬掩膜为掩膜对所述半导体层进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体工艺为形成浅隔离沟槽或接触孔。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻胶层的厚度是1800～22004.根据权利要求1所述的方法，其中注入离子为重离子。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述重离子为氩离子或砷离子。6.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路和射频电路。7.一种根据权利要求1所述的方法制造的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。