半导体应变片是一种用于测量物体的力或压力的电子传感器。它使用半导体材料的特殊性质，来测量传感器所受到的应变并通过电阻变化转换成电信号输出。

半导体应变片的工作原理基于半导体材料的晶格结构发生应变时，其导电特性也发生改变。通常情况下，半导体应变片由一层非常薄（通常在数微米以下）的被包裹在玻璃或薄膜中的 p 型或 n 型掺杂材料构成。当材料晶格结构发生应变时，会引起材料内部电子的浓度和移动性的变化，从而导致其电阻值的变化。这个变化可以通过连接的电路系统被读取出来，然后转换成力或压力的信号输出。

根据制造工艺和结构不同，半导体应变片可分为扩散式、桥式、高温共沉积、内部荷载式等几种类型。扩散式应变片采用分离子注入技术制造，在一块硅片上通过扩散形成呈网格状的应变片芯片，常用于测量低力和静态压力。桥式应变片则是通过在半导体晶圆上蒸镀电极并刻蚀出不同的结构图案进行制造，广泛应用于有限空间中的动态力测量。高温共沉积应变片则可以抵抗更高的温度和强烈的腐蚀性环境。内部荷载式应变片则是把感应电势直接转换为电阻信号，适用于对面试的材料研究。

半导体应变片具有灵敏、稳定、精确、易于集成化、可靠性高等优点，同时还能够适应广泛的测量范围和复杂的测量环境。但其也存在着小量程、抗干扰能力较弱、温漂大等缺点。在使用时，还需要特殊的操作技能和环境保护措施来确保其正常工作和精确测量。