国产光芯片进入高端市场,积极开拓激光雷达第二曲线

您所在的位置:网站首页 第一类激光产品 国产光芯片进入高端市场,积极开拓激光雷达第二曲线

国产光芯片进入高端市场,积极开拓激光雷达第二曲线

2023-04-15 05:27| 来源: 网络整理| 查看: 265

CIOE信息通信展集中展示芯片、材料、器件、模块、设备、方案等全产业链板块的新产品、新技术、新趋势及新应用,促进设备商、工程商、运营商、互联网等企业与上下游供应商进行商贸沟通,达成商业合作,获悉前沿应用、洞察新兴趋势。查看展商名单

厚积薄发不断进步的国产光芯片行业光芯片是现代光通信器件核心元件

光通信系统是以光信号为信息载体,以光纤作为传输介质,通过电光转换,以光 信号传输信息的系统。按照在信息流中位置,光通信器件主要功能包括:光信号产生、光信号调制、光信号传输、光信号处理、光信号探测。

从产业链角度看,光芯片、电芯片、PCB、其他结构件构成光通信产业上游;产业中游为光器件,包括光组件与光模块;产业下游组装成系统设备,最终应用于电信市场,如光纤接入、4G/5G 移动通信网络,云计算、互联网厂商数据中心等领域。

光器件按照是否需要电源驱动,可分为有源光器件和无源光器件。有源光器件主要用于光电信号转换,包括激光器、调制器、探测器和集成器件等。无源器件用于满足光传输环节的其他功能,包括光连接器、光隔离器、光分路器、光滤波器等。光芯片还可以按照材料体系及制造工艺的不同,分为 InP、GaAs、硅基和薄膜铌酸锂四类。其中 InP 衬底主要用于直接调制 DFB/电吸收 EML 芯片、探测器 PIN/APD 芯片、放大器芯片、调制器芯片等;GaAs 衬底用于高功率激光芯片、VCSEL 芯片等;硅基衬底用于 PLC、AWG、调制器、光开光芯片等,LiNbO3 衬底主要用于高速率调制器芯片。

光芯片主要用于光模块内部,根据中商情报网、华经产业研究院等机构公布光模块成本结构分析,光芯片成本约占光模块总成本的19%左右。

激光器芯片和探测器芯片是最主要的有源光芯片,其中激光器芯片主要用于发射信号,将电信号转化为光信号,探测器芯片主要用于接收信号,将光信号转化为电信号。激光器芯片,按出光结构可进一步分为面发射芯片和边发射芯片,面发射芯片包括 VCSEL 芯片,边发射芯片包括 FP、DFB 和 EML 芯片;探测器芯片主要有 PIN 和 APD 两类。

激光器芯片和探测器芯片,根据调制速率、功耗、传输距离、成本等关键特性的不同,分别应用于无线回传、FTTX 接入网、数据中心、长途传输等光通信场景中。

光芯片企业采用 IDM 模式提高竞争力

光芯片生产工艺和流程均较为复杂,包括芯片设计、基板制造、磊晶成长、晶粒制造、封装测试共五个主要环节。芯片设计指根据芯片功能需求制作光电线路图,这是光芯片生产流程的核心环节。我国多数企业主要集中在这一环,拥有设计能力但不具备生产能力。

基板制造/衬底:主要指 InP/GaAs 等材料经提纯、拉晶、切割、抛光、研磨制成单晶体衬底(基板),这是光芯片规模制造的第一个重要环节;

磊晶生长/外延片:根据设计需求,生产企业用基板和有机金属气体在 MOCVD/MBE 设备里长晶,制成外延片。外延片是决定光芯片性能的关键一环,生成条件较为严苛, 是光芯片行业技术壁垒最高环节;

晶粒制造和封装测试:对外延片进行光刻等系列处理,最后封装成拥有完整光电性能的光芯片。

IDM 模式能及时响应各类市场需求,灵活调整产品设计、生产环节的工艺参数及产线的生产计划;能高效排查问题原因,精准指向产品设计、生产工序或测试环节等问题点;还能有效保护产品设计结构与工艺制程的知识产权。国内光芯片企业通过 IDM 模式,可以在响应速度和成本方面取得竞争优势。从源杰科技 IPO 材料披露的产品价格看,国产光芯片可以通过价格优势提升市场份额,并且能在产品成熟期保持价格稳定。

国产光芯片产品竞争力不断提升

我国光通信企业从下游到中游,已经初步建立全球领先的竞争力,下游的华为、 中兴、烽火等设备企业的传输设备是产率全球领先。在中游的光模块领域,根据 LightCounting 数据,2021 年中国光模块供应商在全球市场的占有率超过 50%。上游的光芯片是光器件的核心元件,美国和日本企业依然占据全球光器件行业市场领先地位,高端芯片进口依赖度高。继光模块产业之后,光芯片是我国光电子领域国产化水平亟待提升的重点环节。

从国产化进展来看,当前我国高功率激光器芯片,部分高速率激光器芯片已处于国产化加速突破阶段,而光探测芯片、25G 以上高速率光芯片仍处于进口替代早期阶段。国产光芯片在高端产品领域同国外厂商还有较大差距。

按照产品速率区分,我国光芯片企业已基本掌握 10G 及以下速率光芯片的核心技术,依靠封装优势在中低端市场已形成较强影响力。根据 ICC 预测,2021 年 2.5G 及以下国产光芯片占全球比重超过 90%,10G 光芯片方面国产光芯片占全球比重约 60%, 但不同频段光芯片的国产化情况存在差异,部分 10G 光芯片产品性能要求较高、难度较大,如 10G VCSEL EML 激光器芯片等,国产化率不到 40%。

国产光芯片行业同时面临低端产品竞争激烈,高端产品突破困难的国产替代挑战。作为从原材料到光器件的关键环节,光芯片企业还需要上游衬底企业和下游光模块企业的配合,来加快产品性能完善和导入。光芯片行业具有较高的准入门槛。特别是采用 IDM 模式的企业,光芯片产品设计、良率的提升需要较长周期。光芯片导入下游光器件和模块,需要经过性能测试、可靠性测试等过程。



【本文地址】


今日新闻


推荐新闻


CopyRight 2018-2019 办公设备维修网 版权所有 豫ICP备15022753号-3