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电压门控钠通道与背根神经元伤害性传入
Author(s)：
谭智勇
1
;
吉永华
2
Affiliation(s)：
1
中国科学院上海生理研究所!上海生命科学研究中心
2
上海200031; 中国科学院上海生理研究所!上海生命科学研究中心; 上海200031
Classification number：
R33-33
Cite this article
GB/T 7714
谭智勇,吉永华等.电压门控钠通道与背根神经元伤害性传入[J].生理科学进展,1999(03):8-12.
MLA
谭智勇, and 吉永华. "电压门控钠通道与背根神经元伤害性传入."生理科学进展,03(1999):8-12.
APA
谭智勇, & 吉永华. (1999)电压门控钠通道与背根神经元伤害性传入[J].生理科学进展,(03),8-12.
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Abstract
背根神经节 (DRG)神经元伤害性传入涉及到多层面复杂的神经递质与其相关靶受体的分子参与和调控。本文侧重结合DRG神经元中钠电流的表达分布规律 ,简要地论及了电压门控钠通道与DRG神经元伤害性感觉传入及其调制的一些关系。
Keywords
电压门控钠通道;背根神经元;伤害性感觉传入
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