碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。

相比传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍。种种特性意味着碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件。

目前已知的碳化硅有约200种晶体结构形态，分立方密排的闪锌矿α晶型结构（2H、4H、6H、15R）和六角密排的纤锌矿β晶型结构（3C-SiC）等。其中β晶型结构（3C-SiC）可以用来制造高频器件以及其他薄膜材料的衬底，例如用来生长氮化镓外延层、制造碳化硅基氮化镓微波射频器件等。α晶型4H可以用来制造大功率器件；6H最稳定，可以用来制作光电器件。

碳化硅MOSFET和碳化硅二极管用于太阳能，UPS，工业，汽车等应用：主要集中在光伏储能中的逆变器，数据中心服务器的UPS电源，智能电网充电站等需要转换效率较高的领域。但是随着近些年电动和混合动力汽车（xEV）的发展，SiC也在这个新领域迅速崛起，辐射的产业包括能源（PV，EV充电，智能电网等）、汽车（OBC,逆变器）、基础设施（服务器）等。