分析 （1）砷是33号元素，根据原子核外电子排布规律可以写出电子排布式；（2）同一周期中元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大的趋势，但第VA族元素大于其相邻元素；（3）气态SeO3分子中中心原子的价层电子对数可以判断分子构型；根据等电子体要求原子总数相同，价电子数相同来确定；（4）①硼酸为一元弱酸，在水溶液里电离出阴阳离子；②根据1个正硼酸分子能形成3个氢键，1个正硼酸分子能形成6个σ键，据此计算1mol H3BO3的晶体中氢键物质的量；根据图知，正硼酸（H3BO3）中每个B原子连接3个O原子且不含孤电子对，据此确定B原子杂化方式；（5）单晶硅是Si正四面体向空间延伸的立体网状结构，为原子晶体，GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为与晶硅中Si的结构相似；利用均摊法计算晶胞中Si原子数目，进而计算晶胞质量，再根据V=$\frac{m}{ρ}$计算晶胞体积，计算晶胞棱长，进而计算晶胞体对角线．

解答 解：（1）砷是33号元素，根据原子核外电子排布规律可以写出电子排布式为：1s22s22p63s23p63d104s24p3（或[Ar]3d104s24p3）；故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p3（或[Ar]3d104s24p3）；（2）As、Se、Br属于同一周期且原子序数逐渐增大，这三种元素依次属于第IVA族、第VA族、第VIA族，第VA族元素大于其相邻元素的第一电离能，所以3种元素的第一电离能从大到小顺序为：Br＞As＞Se；故答案为：Br＞As＞Se； （3）气态SeO3分子中中心原子的价层电子对数为$\frac{6+0}{2}$=3，无孤电子对，所以分子构型为平面三角形，又等电子体要求原子总数相同，价电子数相同，所以与SeO3互为等电子体的一种离子为CO32-或NO3-；故答案为：平面三角形；CO32-或NO3-；   （4）①硼酸为一元弱酸，在水溶液里电离出阴阳离子，其电离方程式为：H3BO3+H2O?[B（OH）4]-+H+；故答案为：H3BO3+H2O?[B（OH）4]-+H+；②根据1个正硼酸分子能形成3个氢键，1个正硼酸分子能形成6个σ键，则1molH3BO3的晶体中氢键物质的量是3mol，σ键是6mol；根据图知，正硼酸（H3BO3）中每个B原子连接3个O原子且不含孤电子对，据此确定B原子杂化方式为sp2；故答案为：3；6；sp2；（5）GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，每个Ga原子与4个N原子相连，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体；该晶胞中Si个数=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$+4=8，故晶胞质量为$\frac{8×28}{{N}_{A}}$g=$\frac{224}{{N}_{A}}$g，硅晶体的密度为ρg•cm-3，则晶胞棱长=$\root{3}{\frac{\frac{224}{{N}_{A}}}{ρ}}$cm，则晶胞体对角线长度为$\sqrt{3}$•$\root{3}{\frac{\frac{224}{{N}_{A}}}{ρ}}$cm，故最近的两个硅原子之间的距离为$\sqrt{3}$•$\root{3}{\frac{\frac{224}{{N}_{A}}}{ρ}}$cm×$\frac{1}{4}$=$\frac{\sqrt{3}}{4}$•$\root{3}{\frac{224}{ρ{N}_{A}}}$cm；故答案为：4；正四面体；$\frac{\sqrt{3}}{4}$•$\root{3}{\frac{224}{ρ{N}_{A}}}$．

点评 本题是对物质结构的考查，涉及核外电子排布、杂化方式、分子结构与性质、晶胞计算等，需要学生具备一定的空间想象与数学计算能力，难度中等．