LDO(低压差线性稳压器)、DC-DC(直流-直流变换器)是在做板卡电源设计时候最常用的电源芯片；两者都有着自己明显的优缺点。**从定义来看的话LDO也是一种直流转直流电源芯片，即它属于DC-DC电源。但是LDO只能用作降压，而DC-DC不仅可以降压还能升压，反相。**那我们在硬件设计过程中该怎么选择合适的电电源模块来为芯片供电呢？看完这篇文章希望对你有帮助，不妥之处还望指正，共同进步！

**(A) LDO模块的内部结构及功能

LDO电源基本由三大模块组成：调整电路模块、反馈电路模块、误差放大模块（是不是很easy…）

反馈模块：经R1上的分压对LDO输出电压进行采集；R1与R2电阻误差为1%；

误差放大模块：将采集到的电压信号输入到比较器的反向端与正向端电压（实际想稳压输出的电压）进行比较，再将比较结果进行放大；有的LDO内部为节省器件面积，没有对Vref进行滤波处理，在这种请况下就需要在Vref引脚上10微法电容保证其低噪声和低纹波的输入；

调整模块：比较器输出的放大信号输入到MOS管的门级，使MOS管调整自身的导通压降，从而实现对输出的电压进行调整；其内部MOS管工作线性区。

(B) LDO电源的特点： 当输入电压或负载电流发生变化时，LDO仍可以保持稳定的电压输出；(这就是闭环系统的优势)。这里有一个LDO的负载调整率的名词，可以自行百度下比较好理解，它也是LDO选型时的一个重要参数

当输出电源需要长线传输时，为减小传输线上的压降，常采用输出补偿的方式进行处理（Vout=12V,传输损耗1V，补偿后调节输出Vout=13V,），但是种方式缺乏灵活性，因此有些LDO器件/DC-DC引脚上添加了SENSE管脚，实质上是对负载电压进行测量，在负载的电源输入端，通过0R电阻将负载端的电压信息引回至电源芯片SENSE（可以理解为反馈信号），**一般建议SENSE信号仅对大电流场合使用，一般电流大于10A，当不使用SENSE功能时，SENSE管脚应与Vout直接连接。

（C） LDO电源的优缺点（记住纹波小，效率低） 优点：输出纹波小，成本低，外围电路少，静态电流小，体积小 缺点：效率低，输出功率做不大（同比DC-DC）。 ***

实质：通过内部的高速开关高频率的导通和关断控制占空比例，实现直流电源的电压转换；

开关模式：常见的控制高速开关调制模式有PWM（脉宽调制）和PFM（脉频调制）以及PWM与PFM混合调制；目前市场上某些DCDC电源可工作在PWM/PFM混合调制模式。当其处于轻负载时采用PFM模式，重负载时切换到PWM模式。当然我们最常用的还是PWM调制，基于PWM调制在连续供电的工作模式下（CCM），轻负载会使得芯片的效率很差，工作不稳定，因此在轻负载时，设计上需要提供假负载；

预备知识： DC-DC电源三大拓扑结构：BUCK型（降压），BOOST型（升压），BUCK-BOOST型（反相；本文不做介绍）

占空比：在一个周期内的脉冲信号中，高电平所占的时间比例；

电感电容特性：电感阻碍线圈上的电流突变；电容阻碍电容两端的电压突变，在DC-DC电路中电感线圈上的电流处于稳定状态时，满足如下法则： **伏秒平衡法则：VonTon=VoffToff（这个公式的推导有兴趣的同学可以试试推导一下，大致思路就是对电感的微分方程分别在开关导通和关断两个时间段做积分，要注意上面的条件）

BUCK型拓扑结构: 先说说上图各个器件的作用（BOOST，BUCK-BOOST型同下）： Cin、Cout:输入输出电容就不多说了吧，储能滤波； Q:功率MOS管做开关使用,一般选用增强型MOSFET,应降额使用； L:功率电感储能； D：肖特基二极管，作用是当开关关断时为提供续流回路； RL:负载 PWM：DC-DC芯片内部的控制模块输出不同占空比；

再来分析一下当开关导通和关断时的回路状态 When Q On：(上图中的电流回路①，忽略二极管压降) V(L)=Vin-Vout When Q Off：(上图中的电流回路②，忽略二极管压降) V(L)=Vout 综上两式带入伏秒平衡法则得： (Vin-Vout)Ton = VoutToff Vout=VinD(记住这个公式呀。。。。。) 其中D为PWM调制占空比恒0