本文为我自己的学习笔记，是Cadence Virtuoso系列的第四篇文章，也是入门系列的文章，采用的软件版本是Cadence Virtuoso IC617。其他文章请点击上方，看我制作的Cadence Virtuoso专栏内容。

本文主要记录了如何用Cadence Virtuoso IC617仿真CMOS反相器，这将帮助学习者更加深入理解Cadence仿真，本文涉及时域仿真和多曲线仿真。

使用第一篇文章中提到的SMIC 0.18um工艺作为原理图使用的工艺，建立如下原理图，用于测量输出电压随输入电压的变化而变化的曲线。VDD由V2控制，设置固定值为3V，输入由V1控制，设置为变量vin。此处设置MOS的W和L为固定值，分别为220nm和180nm。

易错一：此原理图为CMOS反相器，由一个N-MOS和一个P-MOS组成。 易错二：N-MOS的B极连接到GND，P-MOS的B极连接到VDD。

为了避免篇幅太长，同时大部分仿真设置前面的文章都讲过，所以这里就一笔带过仿真的有关设置。默认现在在看这篇文章的人，已经阅读过前面的仿真V-I特性曲线的文章。

没有看过的请点击下方链接，跳转到目录中的**“设置单一变量仿真”**，里面以下提到的所有选项的详细解释。

用Cadence Virtuoso IC617仿真V-I特性曲线

选择菜单中的Launch，选择第一项ADE L。

在弹出的窗口中选择Copy From Cellview，就能把原理图中的变量vin导入进来。

同时，设置变量的初始值，这里设置初始值为0。

对扫描类型进行设置。选择AED L窗口中，右边的图标。

这里设置直流DC仿真，仿真的变量是vin，范围是0-3V，点击OK确认。

最终，会在窗口中显示设置后的提示。

点击右边的图标，设置仿真输出。

在弹出的窗口中，不推荐直接输入节点名字，更推荐直接点击From Design。

我们需要仿真的是电压，而不是前面仿真V-I特性曲线中的电流，所以我们选择的是连线，而不是器件的节点。被选中的连线被标记上了颜色，其中，输入被标记成了绿色，输出标记成了红色。

回到原来窗口，可以看出，输出为电压型，命名为“net XXX”，前文提到的电流型为“NM0 / X”。点击OK确认修改。

最终，会在窗口中显示设置后的提示。

经过上面三步，可以得出仿真器中的三个子窗口里都有数据了。点击右边的开始图标，可以得到仿真结果。

得出了仿真曲线。其中红色的是输入电压曲线，绿色的是输出电压曲线。在此W和L下，vin=vout的点位于约1.16V处，即38.7% VDD处。

在上一节中，介绍了固定MOS的W与L时，输入与输出的特性。为了直观地观察在不同晶体管尺寸下的电路特性，我们需要用扫描变量的方式来对电路进行仿真。

将原理图改成如下图。即，把MOS的W改成变量。这里只记录扫描W的过程，扫描L的过程同理，不再赘述。

具体的设置如下，改动的是Total Width。

在左边窗口中，添加所有变量并设置初值之后，选择Tools中的Parametric Analysis。

添加两个变量，都是从220nm开始扫描，扫描步进为110nm。可以通过Sweep选项框中的勾，来切换扫描的变量。点击绿色按钮开始仿真。

设置扫描N-MOS的W，结果如下。可以看出随着W的变大，输出曲线左移，也就是vin=vout的点左移。

设置扫描P-MOS的W，结果如下。可以看出随着W的变大，输出曲线右移，也就是vin=vout的点右移。

前面记录的都是输入电压作为变量，进行直流DC分析。现在将输入换成方波，进行时域分析。

在前面原理图的基础上，将输入电压源V1改成方波输入。具体如下，选取器件库中的vpulse加入原理图中。

方波信号的参数设置如下。这里主要设置其峰值范围为0-3V，周期为2ns，脉冲宽度为1ns，最终得到一个50%占空比的方波。

设置好的原理图如下。注意把MOS的W改回常数。

选择菜单中的Launch，选择第一项ADE L。

由于是时域分析，就不需要设置变量了，直接设置扫描类型。

设置为第一项，时域分析，设置扫描时间为10ns，即5个周期。

设置输出。

在弹出的窗口中，不推荐直接输入节点名字，更推荐直接点击From Design。

我们需要仿真的是电压，而不是前面仿真V-I特性曲线中的电流，所以我们选择的是连线，而不是器件的节点。被选中的连线被标记上了颜色，其中，输入被标记成了绿色，输出标记成了红色。

回到原来窗口，可以看出，输出为电压型，命名为“net XXX”，前文提到的电流型为“NM0 / X”。点击OK确认修改。

最终，会在窗口中显示设置后的提示。

经过上面三步，可以得出仿真器中的三个子窗口里都有数据了。点击右边的开始图标，可以得到仿真结果。

结果曲线图。可以看出，已经达到了反相的效果。

拖动时间轴手柄，可以拉开曲线以及选择时间，观察上升和下降沿。

在设计中，我们一般会使 vin=vout 这个平衡点位于 0.5*VDD 处，此时两只晶体管的 Ids 相等，但由于 P-MOS 和 N-MOS 的工艺参数并不相等，这就需要我们对两只晶体管的 W / L 进行设计。

一般情况下，可以得出以下关系。其中，K最好比2稍微大一点点，这样效果更佳。 ( W L ) p = K ( W L ) n K ≈ 2 , ( W L ) n ⩾ 3 \Big( {W \over L} \Big)_p = K \Big( {W \over L} \Big)_n \newline \enspace \newline K \approx 2,\enspace \Big( {W \over L} \Big)_n \geqslant 3 (LW​)p​=K(LW​)n​K≈2,(LW​)n​⩾3 例如设计以下尺寸，能满足上面提到的关系。

此时，vin=vout 这个平衡点点位于约1.40V处，即46.7% VDD处。

如果设计受限，W不能接受太长的尺寸，只能将K值变大，才能满足要求。就变成了以下的式子。 ( W L ) p = K ( W L ) n K > 2 \Big( {W \over L} \Big)_p = K \Big( {W \over L} \Big)_n \newline \enspace \newline K > 2 (LW​)p​=K(LW​)n​K>2 例如设计以下尺寸，此时K=3。

此时，vin=vout 这个平衡点点位于约1.44V处，即48% VDD处。

从MOS的V-I特性公式入手。有以下关系，它们的电流相等，同时展开两边的式子。

I D S n = I D S p 1 2 K n ( W L ) n ( V G S − V T n ) 2 ( 1 + λ n V D S ) = 1 2 K p ( W L ) p ( V G S − V T p ) 2 ( 1 + λ p V D S ) I_{DSn} = I_{DSp} \\\enspace\\ {1 \over 2} K_n \Big( {W \over L} \Big)_n (V_{GS}-V_{Tn})^2 (1+\lambda_nV_{DS}) \\=\\ {1 \over 2} K_p \Big( {W \over L} \Big)_p (V_{GS}-V_{Tp})^2 (1+\lambda_pV_{DS}) IDSn​=IDSp​21​Kn​(LW​)n​(VGS​−VTn​)2(1+λn​VDS​)=21​Kp​(LW​)p​(VGS​−VTp​)2(1+λp​VDS​) 这里的工艺参数选用的是SMIC 0.18um工艺库参数，在我的上一篇文章中已经计算得出。可以点击下面查看。

用Cadence Virtuoso IC617仿真工艺库参数

在关系式中，VGS = VDS = 0.5*VDD，同时忽略右边部分影响不大的式子，就得出下面的关系式。

( V G S − V T n ) 2 ( 1 + λ n V D S ) = 1.855 ( V G S − V T p ) 2 ( 1 + λ p V D S ) = 1.819 ∵ 1.855 ≈ 1.819 ∴ I D S n = I D S p ⟹ K n ( W L ) n = K p ( W L ) p (V_{GS}-V_{Tn})^2 (1+\lambda_nV_{DS}) =1.855 \\\enspace\\ (V_{GS}-V_{Tp})^2 (1+\lambda_pV_{DS}) =1.819 \\\enspace\\ \because 1.855 \approx 1.819 \\\enspace\\ \therefore I_{DSn} = I_{DSp} \enspace\Longrightarrow\enspace K_n \Big( {W \over L} \Big)_n = K_p \Big( {W \over L} \Big)_p (VGS​−VTn​)2(1+λn​VDS​)=1.855(VGS​−VTp​)2(1+λp​VDS​)=1.819∵1.855≈1.819∴IDSn​=IDSp​⟹Kn​(LW​)n​=Kp​(LW​)p​ 也就是说，最后这个关系式，和工艺参数Kn与Kp，以及我们设计的晶体管尺寸比有关。将式子变形，变成比值的形式。

( W L ) p ( W L ) n = K n K p = K ≈ 2.4 {\Big( {W \over L} \Big)_p \over\Big( {W \over L} \Big)_n}={K_n \over K_p}=K\approx2.4 (LW​)n​(LW​)p​​=Kp​Kn​​=K≈2.4 这个结果和前面得出的结果是一致的，K需要稍微大于2，此时效果最好。

当然，采用不同的工艺（尤其是更先进的工艺），以及VDD改变时，这个K值会有一些细微的变化。

同时，对于模拟电路来说，我们很多设计都是建立在“经验”和“估算”上的，这里所记录的经验能适用于部分情况，但不能适用于所有情况。本节的标题也将其归纳为“经验”而不是“定理”。