前段时间评测了致钛Ti Plus5000

我就觉得国产固态做的还可以啊，后来致钛发布了Ti Plus7100，是一个PCIe4.0x4的固态硬盘，我没有赶首发评测，因为那段时间太忙了，但是最近我没那么忙了，于是上周日的时候对这块固态做了一个简单的测试，简单来说我对这块固态还是很满意的

我图便宜，在拼多多买了一个1TB的Ti Plus 7100，因为这块固态准备评测文章发出去之后就抽奖抽了，所以我就没在京东自营买了，这个价格买PCIe4.0x4的固态可以说性价比很高了

包装和Ti Plus5000差不多

还附送了散热马甲以及一些螺丝刀

所以后续的测试我就会用附送的这个散热马甲了，很多新主板自带的散热片比这个还要好，所以这里你们做一个参考

固态硬盘本体依旧是2280的规模

1TB款的背面没有闪存颗粒

拆开贴纸可以看到两个闪存颗粒，每个512GB，以及它的主控

上一代的Ti Plus5000做1TB用了四个闪存，这代由于堆叠层数几乎翻倍，所以两个闪存就能实现1TB了，预估2TB可能是单面4颗粒，你们可以很直接看到这两个闪存旁边有明显的空焊位置

首先来看一下这块固态的基础参数吧

值得一提的是，Ti Plus7100是一个无缓HMB方案的固态硬盘，这一点和Ti Plus5000一样（后续用T5K代指）

不过对比T5K，T71的的IO接口速度从1600MT/s提升到了2400MT/s，提升了50%。

并且T71使用晶栈®Xtacking® 3.0架构，也就是传说中的232层堆叠，速度提升50%，T5K是Xtaking 2.0架构，也就是128层

所以同样四通道的设计，T71可以实现7GB/S左右的速度

目前主流固态硬盘有两种设计，一种是自带DRAM缓存的，DRAM用来缓存数据和存放映射表

比如说SOLIDGM P44 Pro、三星990Pro、西数SN850之类的，这些高端固态都是以1000:1的比例自带LPDDR4内存当缓存，也就是1TB的固态大概是1GB的缓存，2TB就是2GB

第二种就是无缓存方案（DRAM-Less），这意味着缓存数据需要用到主控上的SRAM，映射表可以采用两级映射，一级映射和少量二级映射放SRAM，二级映射数据大多数是直接放在闪存上，在以前这种DRAM-Less的方案通常在入门级固态硬盘上使用，比如说金士顿A400。

但是后续DRAM-Less也逐渐被用到了中高端来了，但是此时都带HMB技术了，所以你们一定要把无缓固态和无缓但是HMB技术的固态区分开，前者更为垃圾

目前主流大厂的中端产品也出现了不少无缓但是带HMB方案的固态，比如说三星980、西数SN770、致钛Ti Plus5000，还有今天的主角——致钛Ti Plus 7100

带缓存设计的SSD优势在于性能可以做的更强（反面例子就是铠侠RC20，带缓存但是性能并不强大）

映射表可以完全放在DRAM上，查找和更新可以更迅速。如果要找缺点，那就是多了一个DRAM，相当于增加了成本以及功耗发热。有人认为它可以加速写入，实际上是不行的。

DRAM-Less的SSD设计则正好相 反，优势是成本和功耗可以相对更低，但是缺点是性能差。由于映射表绝大多数 存储在闪存中，对随机读来说，每次读用户数据，需要访问两次闪 存，第一次是获取映射表，然后才是真正读取用户数据

在后来HMB技术出现了，更多的SSD可以自己不带DRAM，完全用主机的 DRAM，也就是电脑的内存，用以缓存数据和映射表。

拿随机读来说，DRAM-Less访问映 射表的时间是读闪存的时间。带DRAM的SSD，其访问映射表的时间是 读DRAM的时间；而对HMB来说，其访问映射表的时间是访问主机 DRAM的时间，接近DRAM SSD，远远短于DRAM-Less SSD或者 eMMC、UFS。Marvell在2015年闪存峰会 上给了一张图参考

总的来说，目前主流大厂带DRAM设计的固态已经逐渐只给了高端，中端甚至中高端全部用HMB技术的无缓SSD了，对此争议不断，就和QLC一样，这也许是市场的选择，不过我倒是觉得能在不降低体验的情况下降低价格也算是好事了，毕竟现在固态硬盘价格下降还是很明显的，后续固态硬盘的价格可能还会继续下降

测试平台如下：

CPU：i9 13900K主板：华硕Z790 Hero内存：芝奇DDR5 7200 C34 16GBx2幻峰戟SSD：SN850 1TB+SX8200 Pro 2TB装在最下面两条，Ti Plus7100装在最靠近CPU那一个槽显卡：RTX3090火神

测试环境温度为18度左右，12月下旬室内没空调就是这个温度了

空盘下进行CrystalDiskMark测试，1GiB/8GiB/16GiB/32GiB/64GiB都有

这个1GiB的表现非常猛，可以说是超越980Pro了

8GiB测试可以明显看到Q32T16的写入开始大幅下滑

Q32T16进一步下滑

Q32T16继续下降

Q1T1随机出现了显著下滑

对于HMB盘来说压力增大就萎了这个想象很普遍。

测试一下空盘下的SLC缓存

读写288GB，初步估计SLC缓存约为160GB左右，缓内写入可以稳5GB/s左右，缓外可以实现2GB/s左右的写入，值得一提的是堆叠层数的提高对于提高缓外写入很有用

读取方面前期可以坚持6GB/s左右，但是165GB左右开始就出现明显波动了。

来进行一下实际文件写入，直接写一个300GB的大文件

可以说前半程大概150GB以上都可以维持在2GB/s以上，高的时候我观察到3.2GB/s，后半段的速度几乎都维持在2GB/s的写入，这个速度表现可以说非常棒了

这里可能有人有疑惑，为什么跑分中写入明明可以5GB/s以上，但是实际文件写入最高也就3GB/s出头呢？

我研究了一下，发现是Windows复制粘贴程序限制了单个线程的最大速度，也就是说你买回去跑出这个速度是正常的，Windows下就只能是这个复制粘贴速度

我又对空盘进行了一次压力巨大的30分钟的连续4K随机写入，这是我测固态硬盘的特色菜了，用来测试固态硬盘在高压下的表现，结果如图

前半段的IOPS差不多是Ti Plus5000一倍了，就连缓外的IOPS表现都和Ti Plus5000缓内的差不多

这张图可以看出来Ti Plus7100的写入IOPS对比T5K大幅提升，不过写入稳定性并不算好，这是无缓HMB方案的通病了

在进行这个高强度压力测试下，我拍下了Ti Plus7100的温度

可以看到硬盘最高温度的地方仅为63.1度，这个温度对于一个PCIe4.0固态来说算低了，这个温度我说它上笔记本也很合适。当然我这里室温仅为18度左右，如果室温上升到26度左右，这块盘的温度也会有一定程度上升

半盘的简单测试

快餐测试

16GiB测试使得Q32T16的写入出现了明显的下滑

32GiB更是跌的很惨，64GiB我就不测了，因为已经出现明显下滑了

SLC缓存差不多100GB，缓内可以5GB/s，缓外出现明显下滑，变得只有700-800MB/s了

191GB实际大文件写入

SLC缓存约为64GB，缓外实际写入速度为700MB/s左右

可以说这块盘这一点和T5K是一样的，有一定容量的占用之后对比空盘性能下降幅度很大

不过这个速度对比T5K可以说是快了很多啊，要知道T5K在半盘下的缓外写入才240MB/s，这个已经翻了几倍了

最后是高占用下的测试，我把这块硬盘填到88%的占用，进行一些简单测试

除了1GiB这个快餐测试之外，压力大一点就虚的不行，不过出现这种现象可以理解，没有外置OP的新固态硬盘，还是HMB方案，高占用下很难有很好的表现

测试一下SLC大小，由于此时硬盘只剩114GB的空间，所以我就只进行了50GB的读写测试

看起来SLC缓存约为27GB，缓内和缓外都有明显的波动，这是高占用TLC固态的常事，缓外速度大概500-800MB/s

实际写入一个42.6GB的文件，全程接近3GB/s的速度，还挺快啊

致钛Ti Plus7100我认为是一个非常优秀的产品，虽然它依旧是一个无缓HMB方案的盘，但是实际速度还是挺不错的，4K随机读写性能很不错，应付日常很多使用环境都是比较强悍的

在进行大文件读写的时候，缓外速度对比当初的Ti Plus5000有大幅提升，如果是作为仓库盘的话我认为它的优先级可以高于Ti Plus5000了，Ti Plus5000在它面前仅有便宜这一个可取之处

致钛Ti Plus7100这个表现可以说是一个无缓HMB方案的980Pro了，是目前HMB盘天花板级的存在，980Pro和990Pro的成绩我已经测好了过几天会发

这个表现比起它的竞争对手们——西数的SN770、三星980之辈可以说是遥遥领先，而且目前价格也并不贵，京东自营促销价649元1TB，1199的2TB

目前它这个促销价位，我暂时没有找到它的对手，比它便宜的没它快，比它强的没它便宜和温度低，所以暂时是一个没有敌手的状态

所以打分情况是：

★为1星，☆为半星，满星为5颗★

固态硬盘外观：★★★★★顺序读写：★★★★★4K随机性能：★★★★☆抗压能力：★★★☆用料程度：★★★★★性价比：★★★★★

综合评分为★★★★☆

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