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242

作者：

颜鲁婷，张路宁，周春燕，艾小东，李天翔

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摘要：

利用磁控溅射法在室温下制备了掺钛的氧化铟薄膜,并将薄膜在氮气及真空两种氛围下进行退火。研究了退火氛围及温度对掺钛氧化铟薄膜的光电性能的影响。实验发现,氮气氛围下较低的退火温度能够部分提高薄膜的电学性能,随退火温度升高,薄膜的电学性能反而下降。与氮气氛围相比,真空下退火更有助于提高掺钛氧化铟薄膜的电子迁移率,并且随退火温度升高,电子迁移率逐渐升高并达到一个稳定值。真空退火处理后,掺钛氧化铟在可见光区域的透光率接近80%,在大于1100nm的长波谱区的透光率也有所增高,并且方块电阻降为10/□,适合作为太阳能电池的窗口材料。

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关键词：

透明导电膜 退火 电子迁移率 透光率

DOI：

CNKI:SUN:COSE.0.2011-S2-121

被引量：

18

年份：

2011