海思Hi3798硬件设计,Hi3798 datasheet(2)参考资料

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海思Hi3798硬件设计,Hi3798 datasheet(2)参考资料

2023-12-31 05:30| 来源: 网络整理| 查看: 265

本文主要介绍 Hi3798C V200 芯片的硬件封装、管脚描述、管脚复用寄存器的配置方法、电气特性参数、原理图设计建议、PCB 设计建议、热设计建议等内容。本文主要为硬件工程师提供硬件设计的参考。

2.1 封装

Hi3798C V200 芯片 TFBGA(Thin Fine BGA package)封装,封装尺寸为 19mm×19mm,管脚间距为 0.8mm,管脚总数为 433 个,详细封装如图 2-1 所示。

Hi3798C V200 封装管脚分布如图 2-2~图 2-3 所示

2.2 管脚描述 2.2.1 ADAC 管脚

2.2.2 VDAC 管脚

VDAC 管脚如表 2-4 所示

2.3 复用寄存器概览

复用寄存器概览如表 2-32 所示。

2.5 软件复用管脚 2.5.1 MEM

MEM 的软件复用管脚如表 2-33 所示

3.1 极限工作电压

4 原理图设计建议

4.1 小系统设计建议 4.1.1 Clocking 电路

通过芯片内部的反馈电路与外部的 24MHz 晶体振荡电路一起构成系统时钟,晶振选型 频偏≤20ppm。推荐晶体连接方式及器件参数如图 4-1 所示。 晶体电路阻容推荐值如下(与晶体选型相关):     R1=1MΩ;R2=33Ω;  C1=C2=20pF。 图4-1 推荐晶体连接方式及器件参数

··············

参考资料:

Hi3798C V200 Data Sheet02-硬件设计参考



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