光刻胶的选型原则得考虑以下几个方面： 1. 结构尺寸：如果是1um以上的结构，主要考虑普通接触式光刻或者激光直写，那么对应就得选择紫外光刻胶；如果是1um以下结构（百纳米），那么就得考虑使用电子束光刻设备和电子束光刻胶。 2. 后续工艺：最常见的后道工艺是刻蚀和lift-off工艺。对于刻蚀，必须考虑光刻胶与被刻蚀材料的选择比，选择对应的厚度的胶，需要注意，光刻胶厚度越厚，分辨率越差；如果是lift-off工艺，需要考虑形成那些便于形成under cut结构的光刻胶；厚度再这里面也是非常重要的参数，同上，厚度越厚也会影响分辨率。 3. 直写时间或制版成本：如果是电子束直写或者激光直写，图形的结构往往决定了用正胶或者负胶，其所需要的时间往往差异很大，我们需要遵循直写时间少的方案进行。 4. 其他：对于特殊应用下的光刻胶选择需要综合考虑。 大家有什么好的光刻胶选择方案，也在下方回复……