零相关区高斯整数序列集构造法

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零相关区高斯整数序列集构造法

2024-06-03 08:08| 来源: 网络整理| 查看: 265

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近年来,具有优良相关性能的高斯整数序列研究受到广泛关注。高斯整数序列是定义在集合{a+bi}上的序列,序列元素的实部和虚部都是整数。特别地,定义在集合{±1,±i}上的四元序列和QAM 序列都是高斯整数序列的特殊情况。当前,高斯整数序列的研究成果还不是很多,而且大部分研究都集中在四元序列以及QAM/QAM+序列等特殊的高斯整数序列上[1,2,3,4]。一般化的高斯整数序列设计则主要集中在完备高斯整数序列构造方法的研究。Fan 等[5]构造了一类周期为N=pm−1≡0(mod 4)的高斯整数序列,其周期自相关函数在位移不等于 N 4 、 N 2 、 3N 4 时等于 0。文献[6]利用定义在集合{0,±1,±i}上的8个基序列构造了长度为偶数的完备高斯整数序列。文献[7]利用分圆类构造了长度为奇素数的完备高斯整数序列。文献[8]利用伪随机序列构造了一类长度为2m−1的完备高斯整数序列。Pei[9]和 Chang等[10]则分别构造了任意长度的完备高斯整数序列。文献[11]利用整数集上的多电平完备序列构造了完备高斯整数序列。文献[12]构造了一类含有较多零元素的稀疏完备高斯整数序列。相比之下,高斯整数上的零相关区序列集研究成果非常少[13],远远不能满足实际通信系统的需求。

本文给出一类新的零相关区高斯整数序列集构造方法,利用二元正交矩阵和完备高斯整数序列构造得到了一类零相关区高斯整数序列集。该序列集参数达到或几乎达到Tang-Fan-Matsufuji理论界[14],并且零相关区长度可以灵活设定以满足不同的应用需求。



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