目录

一、画之前准备工作

二、与circuit designer沟通

三、layout的金属线尤其是电源线、地线

四、保护环

五 、衬底噪声(substrate noise)

六、管子的匹配精度

七、一般性注意事项

八、遗留的问题

1、先估算芯片面积：先分别计算各个模块的面积，然后再加上模块之间走线以及端口引用出等的面积，即得到总的芯片面积

2、Top-Down设计流程：先根据电路规模对版图进行整体布局，芯片的整体布局包括主要单元的形状大小以及位置安排，电源和地的布局，输入输出引脚的放置等，统计整体芯片的引脚个数，包括测试点也要确定好，严格确定每个模块的引脚属性、位置 。

详细的整体布局的考虑因素

a.模块的放置应该与信号的流向一致 ，每个模块一定按照确定好的引脚位置引出自己的连线

b.保证主信号信道简单通畅，连线尽量短、少拐弯、等长

c.不同模块的电源、地分开，以防干扰 ，电源线的寄生电阻尽可能减小，避免各模块的电源电压不一致。

d.尽可能把电容、电阻和大管子放在侧旁，利于提高电路的抗干扰能力。

1.目的：搞清楚电路的结构和工作原理 ，明确电路设计中对版图有特殊要求的地方（可能出现问题的地方）。

2.包含内容：   

 a.确保金属线的宽度和引线孔的数目能够满足要求（各通路的电流在典型情况和最坏情况的大小），尤其是电源线和地线的宽度。   

 b.差分对管、有源负载、电流镜、电容阵列、电阻阵列等要求匹配良好的子模块   

 c.电路中MOS管、电阻、电容对精度的要求   

 d.易受干扰的电压传输线 、高频信号传输线

1.根据电路在最坏情况下的电流值来决定金属线的宽度以及接触孔的排列方式和数目，以避免电迁移。

        电迁移效应（EM）：所谓电迁移效应是指当传输电流过大时，电子碰撞金属原子，导致原子移位而使金属断线。

        在接触孔周围，电流比较集中，电迁移效应更加容易发生。

2. 避免天线效应

        天线效应——长金属线（面积较大的金属线）在刻蚀的时候，会吸引大量的电荷（因为工艺中刻蚀金属是在强场中进行的，使用的是等离子刻蚀会使得带点粒子吸附在金属线上），这时如果该金属直接与管子栅（相当于有栅电容）相连的话，可能会在栅极形成高电压会影响栅极氧化层的质量，降低电路的可靠性和寿命或者直接击穿删氧化层。

天线效应的解决方法：

        用另外一层（高层次金属）更高一层的金属来割断本层的大面积金属，如下图所示：