1.微粒与污染源

微粒来源

．微粒来源

－来自洗净用的去离子纯水(DI water)，化学品(Chemicals) 及气体(Gases)或其它制程遗留的杂质或洁净室中所沾染的dust

．微粒附着于晶圆表面所受的吸附力

－Electrostatic force

－Varder Wals force

－Capillary force

－Chemical bond

－Surface topography force

微粒去除的机制

微粒去除的机制

．超音波振荡器去除微粒的过程

金属杂质

．来源 – 洗净材料的化学品，纯水、气体的金属杂质及制程所引发的，如离子植入，RIE干蚀刻、光阻去灰等

．金属杂质含量需在1010 atom/cm2以下，方可确保电子组件的品质及良率

有机污染源

．有机污染源

－来自光阻残留物、晶舟、晶盒及洁净室环境的建材，如油漆，机台等

．污染源造成

－阻绝洗净的效果，或阻绝离子化学蚀刻形成蚀刻不良

－对Gate oxide 的厚度均匀性与Breakdown voltage

2.光阻与配方

光阻去除溶液

．主要光阻去除溶液

－Caro Clean or Piranha Clean

(SPM, H2SO4:H2O2=4:1 @110 oC~130 oC)

缺点: H2O2不易维持稳定浓度

－H2SO4 + O3

O3易含有重金属，需经纯化处理

－Chilled DI + O3

利用O3分解的氧原子和有机光阻反应，可免H2SO4使用，低残留硫含量

自然氧化物

．晶圆表面因曝露在空氧中或浸泡在纯水中，造成表面的氧化，约5~10A 厚度，或在化学洗净过程中，接触强氧化剂，如 H2O2 而在表面生成一层氧化物

．影响

－对Gate oxide 的厚度均匀性与Breakdown voltage

自然氧化物的去除

．DHF-Last – 在最后一站浸入(100:1 DHF)中，以去除Native Oxide

．HF + H2O2 (FPM-Last) – 在最后一站，浸入FPM混合液(0.5%HF+ 10% H2O2)溶液中，HF去除Oxide， H2O2去除金属杂质

．HF + IPA (HF/IPA-Last) – 在最后一站，浸入(0.5%HF+ IPA