03模拟电子技术基础 |
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目录 一、晶体管的结构和符号 1.1 半导体BJT 1.2 晶体管的分类 1.3 PNP型半导体和NPN型半导体的结构 二、晶体管的放大原理 2.1 放大的条件 2.2 放大原理 2.3 电流的分配 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 3.1 输入特性 3.2 输出特性 3.3晶体管的三个工作区域 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 一、晶体管的结构和符号 1.1 半导体BJTBJT又称为晶体管,类型多。BJT都有三个电极,根据结构不同一般分为NPN型和PNP型。 1.2 晶体管的分类 分类标准类型按频率高频管 低频管 按功率小功率 中功率 大功率 按半导体材料分硅管 锗管 按结构PNP型 NPN型 几种BJT的外形,三条腿比较细的为小功率管,三条腿粗的是中功率管。为什么中功率和大功率管会有孔?因为为了散热、便于安装散热器。 晶体管有三个级、三个区、两个PN结 1.3 PNP型半导体和NPN型半导体的结构由两个PN结的三层半导体构成,从三块半导体上各自接一条引线就是BJT的三个电极,分别是发射极e、集电极c、基极b,对应的每块半导体成为发射区、集电区、基区。 两块不同类型的半导体结合就会形成PN结,每个BJT都有两个PN结,发射区和基区交界处的PN结称为发射结、集电区和基区交界处的PN结称为集电结,两个PN结通过很薄的基区联系着,基区多子浓度很低,且很薄。 二、晶体管的放大原理 2.1 放大的条件为了使发射区发射电子,集电区收集电子,必须具备的条件是 发射结正偏 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 3.1 输入特性 对于小功率晶体管, ![]()
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