笔者在制作第一代电调的过程中采用的是如图1的mos分布布板，并且母体电容只安装在BC两相，距离A相，即最远离电源的那一相缺少布置母体电容，并且总的母体电容容值只有2000uF不到。在这些问题之下，电调多次发生mos被击穿，运行过程中损坏的问题，后面用示波器观看后发现，A相的上管Vds波形如图二。发现24V的输入电压居然产生了高达58.8V的电压冲击，中间两端较大的电压是由于其他相mos开关产生的磁场能量传递导致的，简称串扰。在这样的情况下，我采用的60V耐压mos管就显得势单力薄了。

   后期，我以缩短母体电容与每一相mos距离为最重要原则，缩短栅极驱动线为次之重要原则重新布板，新版的MOS排布如图3.并且在每一相添加高达1000uF的母体电容，测得电压波形如图4，发现串扰电压和振铃电压明显减小，最大的电压峰值只去到了40V。

  但是我们可以发现输出的电压产生了一些弯曲，估计是母体电容带来的干扰，但是还暂时没有产生什么重大的影响，在此布板概念的推动下电压的峰值明显减小。

  同时笔者发现一个非常有意思的现象，上管mos的Vds要远比下管mos的Vds更加恶劣，估计是上管MOS的S极处于悬空状态导致的。

  最后，总结一下，母体电容接近mos非常重要，对于吸收mos两端产生的电压尖峰有着非常重要的作用，同时栅极驱动线也要尽可能的短而粗去减小布板上带来的寄生参数干扰，如果对串扰和电压震荡有兴趣的可以详细阅读《关于减小NexFETTM功率MOSFET震荡的方法》这一篇TI的文章，如果我的文章可以帮助到你，那是我莫大的荣幸。