打算整理汇编语言与接口微机这方面的学习记录。本部分介绍存储器及其扩展方法。

参考资料

外存：磁盘、U盘、光盘等，外存严格来说属于IO设备。

顺序存储器和随机存储器：读写数据的方式不同。

内存：本文主要讲内存。

只读存储器：存放系统管理程序，比如计算机主板ROM里的BIOS程序。

ROM：一次性写，只读。

PROM：一次性可编程、只读；

每个新的芯片为空片：如果以字节为单位，则为FFH。

EPROM：常用，紫外线可擦除ROM，借助专用写入器可以将程序写入（写入的时候要先擦干净）。

目前常用型号：2716（2K乘8字节==2KB），2732，2764，27128。

后两者目前常用。

E2PROM：电可擦除ROM。可以反复写入，先擦除干净后写，且掉电后信息不丢失

常用是28系列。

随机读写存储器RAM：能读能写，但是掉电后信息丢失。

SRAM：静态，像寄存器/锁存器。

常用型号6264（8k×8bit==8KB）、62128、62256、2114（1K乘半字节，需要用两个2114并成一个字节--位扩展）

DRAM：动态，像电容，存1相当于给电容充电，所以需要反复给DRAM上电刷新（读出来再写入，刷新周期要满足一定条件，太长就不能让系统辨认原有数据了）。

应用DRAM需要设计地址刷新电路，而这个刷新电路很复杂，所以自己设计系统一般使用SRAM。

DRAM集成度更高（虽然较于SRAM速度慢一点点），而计算机使用的都是DRAM。

本章主要是内存中ROM和SRAM的设计。

从结构角度的分类/微机系统中存储器的层次结构：

容量

如果要设计32KB，62256（32K乘8bit==32KB）需要1片，2114需要64片

这里尽量选择接近的芯片来做，比如2114的话占用面积大且对电源要求高。

速度

存取时间：启动一次存储器操作到完成此次操作的时间

存储周期：两次独立的存储器单元操作的最小时间间隔

可以从半导体公司手册查到。

要求：（针对8086读写周期需要4个clk周期这一点）

下面的公式应该不会考，了解吧：

存储器芯片的最小读出时间：\(t_{cyc}(R)