最近看了下三极管、MOS管、JFET管的结构图，回想起自己大学期间一直对这几个半导体器件的符号认不清楚，后来总结了一下，发现二极管、三极管、MOS管、JFET管都是有P型半导体、N型半导体组合而成，所有方向也可以采用由P-->N的方式进行判断，P代表P型半导体，N代表N型半导体。下面说一下自己的总结过程，希望对有相同疑问的小伙伴有所帮助。

PN结正偏：Vp>Vn

PN结反偏：VpN，大家很熟悉，就不多说了。

2.三极管。三极管是由两种不同的半导体组成，两个P型半导体1个N型半导体，组成PNP型三极管，两个N型半导体和一个P型半导体，组成NPN型三极管。

PNP型三极管如下图所示。通过图，我们可以看出，PNP型半导体导通条件就是：Vbe正偏，Vce反偏，Ic=Ib+Ie，Ve>Vb>Vc。

NPN型三极管如下图所示。通过图，我们可以看出，NPN型半导体导通条件就是：Vbe正偏，Vce反偏，Ic=Ib+Ie，Vc>Vb>Ve

3.MOS管。MOS管全称是金属氧化物场效应管。其结构由三个半导体拼接而成，N-MOS由两个N型半导体，分别为S极和D极，衬底为P型半导体；P-MOS由两个P型半导体，分别为S极和D极，衬底为N型半导体；MOS管存在两个方向，一个是沟道方向（PN结方向），另一个是体二极管方向。S极是和衬底连接在一起的（具体原因我也不是很清楚，如果有哪位小伙伴知道可以告诉我一下，谢谢）

N-MOS结构图如下图所示。N沟道MOS管，衬底是P型半导体，沟道是在两个N型半导体之间形成的。增强型与耗尽型在结构上的区别暂时还不是很清楚，但是在符号上的区别我们可以通过看沟道是一条直线还是三条短线，是短线的就是耗尽型，是直线的就是增强型。

P-MOS结构图如下图所示。P沟道MOS管，衬底是N型半导体，沟道是在两个P型半导体之间形成的。

4.JFET大家可以通过自己进行总结下，总之，半导体管（二极管、三极管、场效应管）基本上都是有P型半导体和N型半导体组成，方向也始终是由P-N，这一点基本是不会变化的。通过了解PN结的形成，我们自然就能够了解各种管子的一些主要参数以及特性曲线，对硬件工程师在物料选型、datasheet查阅上有极大帮助。理解比死记硬背更好。以上纯属个人之见，若有错误请大家指正，勿喷。