非晶硅的电阻温度系数（4%/K）与VOx的相当，也是一种具有前途的微测辐射热计材料。法国非制冷红外探测器研究机构主要是在法国原子能委员会与信息技术实验室/红外实验室（CEA-Leti-LIR），从1992年就开始研究非晶硅探测器，现已成熟。索弗雷德公司（Sofradir）下属的优利斯公司（ULIS）负责将技术转化为大规模的生产。

美国也在投资研究非晶硅，目的是把像素尺寸缩小到约15μm，噪声等效温差达到10mK，而成本降至现有产品的十分之一。

红外热成像技术的VOx材料的最大缺陷就是不能与标准硅集成电路工艺兼容，选用非晶硅作为热敏材料可以很好的解决这个问题。除此之外，由于非晶硅与硅材料类似，结构设计容易，通过布局简单的像元结构可以保证探测器更高的响应速度，而且非晶硅的均匀性较好，制作工艺简单，成本较低。但是由于由于非晶硅是无定形结构，呈现的电流噪声比VOx要高，所以NETD通常不如VOx材料，具体表现为图像有蒙纱感，红外图像感观不够锐利通透。