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1、 本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是        

答案: 等于

2、 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于               。

答案:  掺杂浓度

3、 在掺杂半导体中，少子的浓度受           的影响很大。

答案: 温度

4、 在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度              。

答案: 越低

5、 N型半导体               。

答案: 呈电中性

6、 温度升高，N型半导体的电阻率               。

答案: 将增大

7、 环境温度升高，二极管的反向饱和电流             

答案: 将增大

8、 普通二极管的正向电压降温度系数                   。

答案: 为负

9、 确保二极管安全工作的两个主要参数分别是           和          。

答案: IF，UR

10、 对于稳定电压为10V的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压          。

答案: 将升高

11、 二极管的反偏电压升高，其结电容          。

答案: 减小

12、 硅二极管的死区电压约为          。

答案: 0.5V

13、 二极管的伏安特性表示式为            。

答案:

14、 已知二极管的静态工作点UD和ID，则其静态电阻为          。

答案: UD/ID

15、 已知二极管的静态工作点UD和ID，则其动态电阻为             。

答案:

16、 某硅二极管在正向电压时，正向电流。若增大到0.66V，则电流约为          。

答案: 100mA

17、 当环境温度升高时，二极管的正向电压将    ，反向饱和电流将    。

答案: 减小，增大

18、 当PN结正向偏置时，耗尽层    。当PN结反向偏置时，耗尽层    。

答案: 变窄，变宽

19、 电路如图所示。其中限流电阻R=2kΩ，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V，正向压降为0.7V，动态电阻可以忽略。试求a，b，c，d各电路输出端A、B两端之间电压UAB的值。

答案: 14V，6V，6.7V，0.7V

20、 设图所示各电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管D或D1是导通还是截止。

答案: 截止，导通，导通，截止

1、 晶体管能够放大的外部条件是             。

答案: 发射结正偏，集电结反偏

2、 当晶体管工作于饱和状态时，其             。

答案: 发射结正偏，集电结正偏

3、 硅晶体管的死区电压约为             。

答案:  0.5V

4、 锗晶体管的导通压降|UBE|约为             。

答案: 0.3V

5、 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的b为        。

答案: 60

6、 温度升高，晶体管的电流放大系数b          。

答案: 增大

7、 温度升高，晶体管的管压降|UBE|          。

答案: 减小

8、 温度升高，晶体管输入特性曲线         。

答案: 左移

9、 温度升高，晶体管输出特性曲线的间隔        。

答案: 增大

10、 当晶体管的集电极电流时，下列说法正确的是        。

答案: 晶体管的b一定减小

11、 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为      。

答案: PNP型锗管

12、 测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管      。

答案: 已损坏

13、 对于电压放大器来说，         越大，电路的放大能力越强。

答案: 输入电阻

14、 对于电压放大器来说，         越小，电路带负载的能力越强。

答案: 输出电阻

15、 在由NPN型晶体管组成的基本共射放大电路中，若输入电压为正弦波，输出波形的底部被削平，则这种失真是      失真。

答案: 饱和

16、 一放大电路如图所示，当逐渐增大输入电压的幅度时，输出电压的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应        。

答案: 减小

17、 17. NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射结电压与电极电流的关系为     。

答案: （d）

18、 引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_。

答案: （d）晶体管参数随环境温度的变化而变化

19、 在放大电路中，直流负反馈可以__。

答案: （d）稳定电路的静态工作点

20、 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3KW的负载后输出电压降为3 V，则此电路的输出电阻为       。  

答案: （b）1kW 

21、 已知图示放大电路中的W，W，，晶体管的，。那么，该晶体管处于何种状态？         。

答案: （b）饱和状态

22、 在上题中，若晶体管的。该晶体管处于何种状态？_。

答案: （a）放大状态

23、 在21题中，若晶体管的， 当增大输入信号的幅值时，电路的输出波形将首先出现何种失真？_。

答案: (a) 饱和 

24、 若三级放大电路的，，则电路的放大倍数为    。

答案: (d)  10000

25、 有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，W，W。现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为______。     

答案: （b）32dB   

26、 已知图示放大电路中的W，W，，晶体管的，。那么，该晶体管处于何种状态？         。

答案: （b）饱和状态

27、 已知图示放大电路中的W，W，，晶体管的。若晶体管的。该晶体管处于何种状态？_。

答案: （a）放大状态

28、 有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，W，W。现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为______。     

答案: （b）32dB   

29、 某放大电路在负载开路时的输出电压为10V，接入5k负载后输出电压降为3 V，则此电路的输出电阻为       。

答案: 50/3k

30、 对于电流放大器来说，则希望输入电阻    越好，输出电阻     越好。

答案: 越小，越大

31、 晶体管电路如图所示，已知各晶体管的=50。试分析电路中晶体管的工作状态。

答案: 饱和

32、 晶体管电路如图所示，已知各晶体管的=50。试分析电路中晶体管的工作状态。

答案: 截止

33、 晶体管电路如图所示，已知各晶体管的=50。试分析电路中晶体管的工作状态。

答案: 放大

1、 在放大电路幅频响应（波特图）曲线中，在上限截止频率和下限截止频率频率点处，电压增益比中频区增益下降了3dB，亦即在该频率点处的输出电压是中频区输出电压的_倍。

答案:

2、 多级放大电路的级数愈多，其上限截止频率fH ___。

答案: 越低

3、 已知某放大电路由放大倍数完全相同的两个单级放大电路组成，那么，在组成它的单级放大电路的截止频率处，电路的放大倍数下降了_ 。

答案: 6dB

4、 多级放大电路的级数愈多，则高频附加相移___。

答案: 越大

5、 晶体管的共射截止频率、共基截止频率及特征频率三者之间的大小关系是___。

答案:

6、 已知某晶体管的，。当其工作频率为时，     。

答案: 3MHz

7、 两级放大电路中，已知，；，。则:（1）放大电路的下限截止频率     

答案: 55Hz

8、 在上题中：（2）放大电路的上限截止频率       。

答案: 24kHz

9、 一放大电路如图所示，其中和为负载电阻和负载电容。（1）当增大的容量时，该放大电路的       ；

答案: 减小

10、 在上题中：（2）当的容量减小时，该电路的       。

答案: 提高

11、 在上题中：（3）当忽略晶体管的结电容时，该电路的=       。

答案:

12、 两级放大电路中，已知，；，。则:放大电路的下限截止频率     ，放大电路的上限截止频率       。

答案: 55Hz，24kHz

13、 一放大电路如图所示，其中和为负载电阻和负载电容。当增大的容量时，该放大电路的       ；

答案: 减小

14、 当的容量减小时，该电路的       。

答案: 提高

15、 某共射极放大电路如图所示，已知晶体管的rbb=100Ω，rb’e=900Ω，gm=0.04S，三极管的结电容等效输入电容Ci=500pF，等效输出电容C0忽略不计。计算中频电压放大倍数Ausm

答案: -36

16、 有一共基极放大电路如图所示。其中VCC= 24V、RB1 = 90kΩ、RB2=48kΩ、RC =RE=2.4kΩ、负载电阻RL=2.2kΩ，电容器C1、C2、C3 的电容量均足够大。晶体管T为3DG4A型硅管，其rbb’=80Ω、β=20。试估算静态工作点UCEQ值

答案: 15

17、 有一共基极放大电路如图所示。其中VCC= 24V、RB1 = 90kΩ、RB2=48kΩ、RC =RE=2.4kΩ、负载电阻RL=2.2kΩ，电容器C1、C2、C3 的电容量均足够大。晶体管T为3DG4A型硅管，其rbb’=80Ω、β=20。计算放大倍数Au

答案: 61.7

1、 场效应管是利用___来控制漏极电流电子器件。

答案: 输入电压

2、 当场效应管的漏极电流IDQ从1mA变为2mA时，它的低频跨导      。

答案: 增大

3、 当ugs=0时， 不能够工作在恒流区的是          。

答案: 增强型MOS管

4、 随着uGS的增大，结型场效应管的漏源击穿电压U(BR)DS将如何变化？      。

答案: 增大

5、 当场效应管工作于放大区时，耗尽型场效应管iD的数学表达式为：        。

答案:

6、 增强型场效应管导通的必要条件是        。

答案:

7、 某场效应管的，，的方向是从漏极流出，则该管为        。

答案: 耗尽型PMOS

8、 与双极型晶体管比较，场效应管        。

答案: 放大能力弱

9、 N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ>__， UDSQ>____。

答案: UGS(th) ， UGSQ-UGS(th)

10、

答案: 0

11、 一N型沟道增强型MOS场效应管放大电路如图所示。在线性放大条件下：

答案:

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