１ ．半导体中有两种载流子 ；自由电子和空穴 。 P 型半导体的多数载流子 是空穴 ；N 型半导体的多数载流子是自由电子 。

２ ．PN 结外加正向电压时 ，正向电阻小 ，表现为导通状态 ；加反向电压时 ， 反向电阻很大 ，表现为截止状态 。 这就是 PN 结的单向导电性 。

１ ．二极管的结构和符号

​ 2 ．二极管的伏安特性

硅二极管的死区电压为 ０.５V 左右 ，锗二极管的死区电压为 ０.２ V 左右。正向导通电压硅管为 ０.７ V 左右 ，锗管约为 ０.３ V 左右 。

3 ．二极管的核心是一个 PN 结 ，所以单向导电性是它的基本特性 。 二极 管的伏安特性分为四个区域 ：死区 、正向导通区 、反向截止区和反向击穿区 。 分析伏安特性时要注意二极管的非线性关系 ，即加在二极管两端的电压和流 过二极管的电流不成比例关系 。

4．二极管按照所用的材料不同分为硅管和锗管两种 。 硅管的死区电压和 正向压降比锗管的大 ，而反向饱和电流（ I CEO 、I CBO ）要比锗管的小 。 使用二极 管时要注意最大整流电流和最高反向工作电压不要超过规定值

5．稳压二极管是一种特殊用途的二极管 。 它工作在伏安特性曲线的反向 击穿区 。 稳压二极管在使用时应注意限制它的工作电流不要过大 ，否则会因 管子过热而损坏 。

１ ．三极管的结构和符号

2 ．三极管由两个 PN 结组成 ，具有电流放大作用 。 三极管具有放大作用 的内部条件是 ：发射区的掺杂浓度很大 ；基区很薄 ；集电区体积大 。 外部条件 是 ：发射结正向偏置 ，集电结反向偏置 。总结：电流总是从P流向N。

3．三极管中三个电极电流的关系为 ：I E ＝ I B ＋ I C 。 三极管的特性曲线分 为输入特性曲线和输出特性曲线 。 输入特性曲线和二极管的正向特性曲线相 似 ；输出特性曲线分为三个区 。 饱和区 ：发射结和集电结都正偏 ，I B 对 I C 的影 响很小 。 截止区 ：发射结和集电结都反偏 ，I B ＝ ０ ，I C ≈ I CEO 。 放大区 ：发射结 正偏 、集电结反偏 ，I C 受 I B 的控制 ，并成正比例增长 。 应特别指出三极管的电 流放大作用并不是将电流放大多少倍 ，而实质是以小的电流对大的电流进行 控制的作用 。 对以上三个区的特点应重点掌握 。

4．在使用三极管时要注意它的极限参数 ，以保证管子的安全使用 ；另外也 要注意晶体管几乎所有的参数都和温度有关系 。

5．三极管按结构分为 NPN 、PNP 型两种 ，必须要注意两种管子在使用时 的极性和电流方向的问题 。