MOSFET正面金属化工艺FSM的两种选择

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MOSFET正面金属化工艺FSM的两种选择

2024-07-15 04:11| 来源: 网络整理| 查看: 265

前述提到的溅镀工艺,由于必須使用到高真空溅镀、黄光工艺、蚀刻工艺,工艺成熟稳定,较适用于追求高可靠性的车用电子、工业电子等高阶MOSFET需求,而较为成本导向的消费性产品所应用的MOSFET则较适合使用化镀来做,可以有较低的成本及较短的生产时间。

一直以倾听客户声音、满足客户需求的宜特注意到这件事,导入「以氧化还原反应」的化镀工艺。

化镀,一般称为化学镀(Chemical plating),也称无电镀(Electro-less Plating),在没有外加电流的条件下,利用化学药剂形成一连串可控制的氧化还原反应,使得化学药剂中的金属离子在晶圆上还原成金属的一种成膜的方式。

化镀工艺最大特色是,只需利用一系列的氧化还原反应,将镍金/镍钯金选择性的成长在铝垫上,完全不需要经过高真空溅镀/黄光工艺/蚀刻工艺,因此成本可降低,生产时间也可改善。



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