2.1：什么是过流，即mos能过通过的额定电流，在mos管的芯片手册上会有相关的参数说明，如果mos管的电流过大，会产生极高的热量，以至于损坏芯片。

2.2：实际案例分析

上图是一个逆变器的H桥逆变电路，通过spwm将直流电转换为正弦波交流电。

实际使用过程中，不管是轻负载还是重负载，T3，T6，T4，T7管会偶尔损坏。

造成损毁的原因实际上是过流造成的，那么是怎么过流的呢。一般情况下，h桥导通的时候，电流流过L1,L2，实际上电流的上升速度不会太快，当电流过大的时候，ITRIP上的电压过大，是可以保护的。

我们先看看mos管的等效模型。

C70是mos的GS之间的等效电容，C69是GD之间的等效电容（在器件手册上为Cres）。

在T8和T9都关闭的时候，假设V1的电压为VCC/2。当T8导通的时候，V1的电压为VCC。此时就将对C71,C72,R41充电，T9 mos管GS两端的电压值取决于C71,C72,R41（驱动器件闭合内阻以及回路上的电阻总和）。如果C71或者R41过大，将会导致GS的电压大于MOS管的阈值电压，上下两管将会同时导通，此时电流非常大，可能烧坏mos管。

怎么避免这种过流烧坏mos管呢：

1：减小R41,即闭合的时候，闭合的时候驱动器件闭合内阻以及回路上的电阻总和。这样可以减小GS上的电压。

2：闭合的时候，拉到负电压，如下图：

这样，gs端的电压可以减去VCC1。

3：添加保护电路，在过流的时候关断mos管。

R42是电流采样电阻，如果电流过大，V2的电压升高，保护电路将关闭T8,T9，以保护电路。

实际案例中已经有了过流保护电路了，为何依旧会损坏？因为从mos管过流到mos管关断，这之间是有一段之间的，时间越短，mos管越安全。一般在5us之内就可以了。

案例中，R11,R12,C21组成了RC滤波电路，其滤波时间（2paiRC）大概为30us，远大于5us，是不可以的。

1，2种方法，都有局限性，如果MOS管的Cres变化较大，可能就不可以通过这种方法保护mos管。例如T8管的Cres比较小，T9管的Cres较大，就会导致R41上的电流较大，因此GS上的电压较大，T9管导通。因此最可靠的保护方法是第三种。

怎么计算T8导通时候，T9的GS端的电压呢，可以查看infineon的IR2114S的器件手册第19页。

Mos管两端的DS两端的电压大于mos管的额定电压，导致mos管损坏。

图中，L8是导线上的寄生电感，导线的越长，L8,L9越大，导线越粗，L8,L9越小。

当T8,T11同时导通时候，电流I经过L8,L9,T8,R41,T11流到GND。如果此时突然关断T8。L8上的电感就会将能量输送C73。

1/2*L8*I*I=1/2*C73*(VCC1*VCC1-VCC*VCC)

VCC1是电容充电之后的电压，如果vcc1过高，就会损坏MOS管。

怎么保护mos管，

1：减小电感，因此，对于L9和C69,C70,C71,C72而言，减小L9,意味着减小导线距离，c73要离MOS管近。

2：加大电容，电容越大，电压上升越小，越不会过流。