计算机组成原理 主存储器2 |
您所在的位置：网站首页 › 字扩展与位扩展的关系 › 计算机组成原理 主存储器2 |
计算机组成原理 主存储器2
|
2.4只读存储器（ROM） 一、掩模ROM（MROM） 二、PROM（一次性编程） 三、EPROM（多次性编程） 四、EEPROM（多次性编程） 五、Flash Memory（闪速型存储器） 2.5存储器与CPU的连接 一、存储器容量的扩展 1、位扩展（增加存储字长） 2、字扩展（增加存储字的数量） 二、存储器与CPU的连接 1、地址线的连接 2、数据线的连接 3、读/写命令线的连接 4、片选线的连接 5、合理选择芯片 2.6存储器的校验 合法代码集合 一、编码的最小距离 二、汉明码的组成 2.7 提高访存速度的措施 一、单体多字系统 二、多体并行系统 1、高位交叉 顺序编址 2、低位交叉 各个体轮流编址 三、高性能存储芯片 1、SDRAM（同步DRAM） 2、RDRAM 3、带Cashe的DRAM 2.4只读存储器（ROM） 早期只读存储器--厂家提前写好内容 改进1 --用户可以自己写--一次性 改进2--可以多次写--要能对信息进行擦除 改进3--电可擦写--特定设备 改进3--电可擦写--直接连接到计算机 一、掩模ROM（MROM）厂家把信息直接写在ROM上 1K*1的掩模ROM 最上面一排晶体管是预充电管 经过预充电管预充电后（当作限流电阻使用），所有V线都是高电平，在行列交叉点上有的有晶体管，有的没有晶体管 假设某交叉点被选中且有晶体管，若被选中晶体管被导通，两端被导通，V线高电平会变成低电平 输出放大器会对数据进行反向 行列选择线交叉处有MOS管为1否则为0
三、EPROM（多次性编程）
N型沟道浮动栅MOS电路 G 栅极、S 源、D漏 若在D加正电压，就会在源和漏之间形成浮动栅，使源和漏不导通，保存的信息认为是0 如果在D不加电压，不形成浮动栅 S与D导通 为1 如果要进行修改，重新写入，需要驱散浮动栅 使用紫外线照射进行擦洗
用在u盘或者硬盘，缓存 2.5存储器与CPU的连接 一、存储器容量的扩展 1、位扩展（增加存储字长） 用 2片 1K*4位存储芯片组成1K*8位的存储器 2114 1K的容量需要10根地址线，将十根地址线输入到每一个2114地址管脚 2114是4位的 2个2114提供8位数据 每个2114数据线分别和cpu数据线上的四条进行连接，这样可以满足cpu需要8位数据的要求 两个芯片的片选要连接在一起，使两个芯片同时进行工作 一旦有读写信号会从两个芯片内部相同的地址单元各读出4位数据信息放在8条不同的数据线上
|
【本文地址】
今日新闻 |
推荐新闻 |