本发明涉及半导体制造领域，具体是指一种多晶硅的刻蚀方法。

背景技术：

多晶硅刻蚀是半导体器件制造中不可或缺的工艺步骤，通常都是通过改变刻蚀气体来调节多晶硅的形貌，常见的多晶硅刻蚀气体为氯气、溴气或者两者的混合气体。氯气能产生各向异性的硅侧壁剖面并对氧化硅有很好的选择比，溴基气体同样是各向异性的并对氧化硅和氮化硅的选择比很高。但刻蚀受到不同刻蚀率的影响，在有些情况下，改变刻蚀气体并不能完全满足器件对多晶硅的形貌要求。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种多晶硅的刻蚀方法，调节多晶硅刻蚀速率，从而改变多晶硅形貌。

为解决上述问题，本发明提供一种多晶硅的刻蚀方法，通过对需要刻蚀的多晶硅的不同部分掺入不同类型的杂质，或者掺入同类型但不同浓度的杂质，然后进行刻蚀来控制不同部位的刻蚀速率。

进一步地，所述的掺杂，当多晶硅掺入n型杂质时，刻蚀速率会变快，杂质浓度越高刻蚀速率越快；当多晶硅掺入p型杂质时，刻蚀速率会变慢，杂质浓度越高刻蚀速率越慢。

进一步地，所述的掺杂是掺入能形成n型或者p型的所有杂质。

进一步地，通过对掺杂类型或者掺杂的浓度进行调整，能刻蚀出不同的多晶硅形貌。

进一步地，当多晶硅上层为n型掺杂，下层为p型掺杂，或者多晶硅上下层为同类型的n型杂质且上层浓度高于下层，则多晶硅刻蚀时上层的刻蚀速率快于下层；当多晶硅上层为p型掺杂，下层为n型掺杂，或者多晶硅上下层为同类型的p型杂质且上层浓度高于下层，则多晶硅刻蚀时上层的刻蚀速率慢于下层。

本发明在不改变刻蚀气体的情况下，通过多晶硅掺杂物质或浓度的改变，调节多晶硅刻蚀速率，从而改变多晶硅的形貌。

附图说明

图1为本发明对多晶硅上下层不同掺杂浓度或者不同掺杂类型时产生不同的刻蚀速率从而产生不同的多晶硅形貌。

具体实施方式

本发明提供一种多晶硅的刻蚀方法，通过对需要刻蚀的多晶硅的不同部分掺入不同类型的杂质，或者掺入同类型但不同浓度的杂质，然后进行刻蚀来控制不同部位的刻蚀速率。

当多晶硅掺入n型杂质时，刻蚀速率会变快，杂质浓度越高刻蚀速率越快；当多晶硅掺入p型杂质时，刻蚀速率会变慢，杂质浓度越高刻蚀速率越慢。

掺入的杂质没有限定，能形成n型或者p型的所有杂质均可。

通过对掺杂类型或者掺杂的浓度进行调整，能刻蚀出不同的多晶硅形貌。如图1所示，当多晶硅上层为n型掺杂，下层为p型掺杂，或者多晶硅上下层为同类型的n型杂质且上层浓度高于下层，或者多晶硅上下层为同类型的p型杂质且上层浓度低于于下层，则多晶硅刻蚀时上层的刻蚀速率快于下层，多晶硅剖面形成上小下大的梯形；当多晶硅上层为p型掺杂，下层为n型掺杂，或者多晶硅上下层为同类型的p型杂质且上层浓度高于下层，或者多晶硅上下层为同类型的n型杂质且上层浓度低于下层，则多晶硅刻蚀时上层的刻蚀速率慢于下层，最终形成倒梯形。

上述实施例仅用于说明不同情况下的多晶硅刻蚀速率，通过掺入不同杂质类型或者调整掺杂浓度，可以根据需要得到多种不同的多晶硅形貌。

以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：

技术总结本发明公开了一种多晶硅的刻蚀方法，通过对需要刻蚀的多晶硅的不同部分掺入不同类型的杂质，或者掺入同类型但不同浓度的杂质，然后进行刻蚀来控制不同部位的刻蚀速率，从而改变多晶硅的形貌。

技术研发人员：陈曦;黄景丰受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司技术研发日：2019.01.08技术公布日：2019.06.14