本实用新型属于机载电子设备技术领域，具体涉及一种基于三nmos管并联的大功率浪涌电压抑制模块。

背景技术：

国家军用标准gjb181-86、gjb181a-2003等标准规定了机载电子设备必须能够承受一定的瞬态浪涌电压(如80v/50ms)。因此，机载电子设备均需要安装瞬态浪涌抑制模块。瞬态过压浪涌具有源阻抗低(0.5ω)、持续时间长(50ms)、总能量比较大等特点，瞬态浪涌抑制模块都是基于功率场效应管的控制电路来实现浪涌电压保护。目前基于功率场效应管设计的过压浪涌抑制模块有两种类型：nmos管浪涌抑制模块和pmos管浪涌抑制模块。

nmos管浪涌抑制模块电路原理框图如图1所示。

nmos管浪涌抑制模块电路工作原理为：由采用稳压二极管和限流电阻构成的稳压电路给振荡电路供电。振荡电路采用ne555芯片，产生振幅12v的高频方波。由二极管、电阻与电容构成的电荷泵进行峰值检波和电平移位给栅极端电容充电。采样电路将输出端采样电压与电压控制电路的基准电压进行比较，控制场效应管栅极端的三极管的导通与截止，进而控制栅极端电容的电压。当正常输入28v电压时，栅源电压vgs>vgs(th)，nmos管正向导通。当有80v浪涌电压时，输出端采样电压大于基准电压(2.5v)，栅极端三极管导通，栅极端电容放电，栅极电压下降，栅源电压vgsvgs(th)，nmos管正向导通。如此循环控制nmos管，使输出电压不高于设定值36v。

pmos管浪涌抑制模块电路原理类似降压型开关稳压电路，原理框图如图2所示。

pmos管浪涌抑制模块电路工作原理为：保护电路为稳压值15v的稳压二极管，以保护vgs电压不超pmos管栅源击穿电压。采样电阻将输出端电压反馈至由三极管、偏置电阻等组成控制电路，控制pmos管的栅极电压。当正常输入28v电压时，稳压二极管使栅源电压vgs＝-15v，pmos管正向导通。当有80v浪涌电压时，输出端采样电压大于2.5v，使得三极管基极电压正向偏置且vbe>von，三极管导通。进而导致控制端的三极管导通，pmos管栅极电压上升，pmos管截止。然后，输出电压下降，三极管vbe